[发明专利]垂直磁记录介质和磁记录装置无效

专利信息
申请号: 200710186901.4 申请日: 2005-07-22
公开(公告)号: CN101159140A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 岩崎富生;细江让 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B5/73 分类号: G11B5/73
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 垂直 记录 介质 装置
【权利要求书】:

1.一种垂直磁记录介质,具备:基板、在上述基板的一主面侧形成的第一软磁性基底膜、在上述第一软磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二软磁性基底膜、在上述第二软磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中间膜、以及在上述中间膜上形成的垂直记录层,其特征在于:上述中间膜是以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素的材料,或者是以Cu为主要构成元素、以Al为添加元素的材料。

2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素,上述垂直记录层以Co、Cr、Pt为构成元素,上述Cr的浓度大于等于15at.%、小于等于25at.%,上述Pt的浓度大于等于10at.%、小于等于20at.%。

3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于0.14at.%。

4.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于10at.%。

5.一种磁记录装置,具备:

垂直磁记录介质,具有基板、在上述基板的一主面侧形成的第一软磁性基底膜、在上述第一软磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二软磁性基底膜、在上述第二软磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中间膜、与上述中间膜接触地形成的垂直记录层;

驱动部,沿记录方向驱动上述垂直磁记录介质;

磁头,具有记录部和再生部;

使上述磁头相对于上述垂直磁记录介质进行相对运动的装置;以及

记录再生处理装置,用来进行上述磁头的信号输入和上述磁头的输出信号的再生,

其特征在于:上述中间膜是以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素的材料,或者是以Cu为主要构成元素、以Al为添加元素的材料。

6.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:上述垂直记录层以Co、Cr、Pt为构成元素,上述Cr的浓度大于等于15at.%、小于等于25at.%,上述Pt的浓度大于等于10at.%、小于等于20at.%。

7.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于0.14at.%。

8.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于10at.%。

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