[发明专利]垂直磁记录介质和磁记录装置无效
申请号: | 200710186901.4 | 申请日: | 2005-07-22 |
公开(公告)号: | CN101159140A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 岩崎富生;细江让 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G11B5/73 | 分类号: | G11B5/73 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 装置 | ||
1.一种垂直磁记录介质,具备:基板、在上述基板的一主面侧形成的第一软磁性基底膜、在上述第一软磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二软磁性基底膜、在上述第二软磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中间膜、以及在上述中间膜上形成的垂直记录层,其特征在于:上述中间膜是以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素的材料,或者是以Cu为主要构成元素、以Al为添加元素的材料。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素,上述垂直记录层以Co、Cr、Pt为构成元素,上述Cr的浓度大于等于15at.%、小于等于25at.%,上述Pt的浓度大于等于10at.%、小于等于20at.%。
3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于0.14at.%。
4.如权利要求1所述的垂直磁记录介质,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于10at.%。
5.一种磁记录装置,具备:
垂直磁记录介质,具有基板、在上述基板的一主面侧形成的第一软磁性基底膜、在上述第一软磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二软磁性基底膜、在上述第二软磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中间膜、与上述中间膜接触地形成的垂直记录层;
驱动部,沿记录方向驱动上述垂直磁记录介质;
磁头,具有记录部和再生部;
使上述磁头相对于上述垂直磁记录介质进行相对运动的装置;以及
记录再生处理装置,用来进行上述磁头的信号输入和上述磁头的输出信号的再生,
其特征在于:上述中间膜是以Ru为主要构成元素、以Ti为添加元素的材料,或者是以Cu为主要构成元素、以Al为添加元素的材料。
6.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:上述垂直记录层以Co、Cr、Pt为构成元素,上述Cr的浓度大于等于15at.%、小于等于25at.%,上述Pt的浓度大于等于10at.%、小于等于20at.%。
7.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于0.14at.%。
8.如权利要求5所述的磁记录装置,其特征在于:上述中间膜以Ru为主要构成元素,以Ti为添加元素、且含有的浓度大于等于10at.%。
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