[发明专利]一种带药可降解镁合金心血管支架及其制备方法无效
申请号: | 200710159202.0 | 申请日: | 2007-12-26 |
公开(公告)号: | CN101468216A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 谭丽丽;颜廷亭;杨柯;张炳春;肖克沈 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | A61L31/16 | 分类号: | A61L31/16;A61L2/12;A61F2/82 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带药可 降解 镁合金 心血管 支架 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及生物材料技术领域,特别适用于生物医用材料的表面改性领域;具体为一种带药可降解镁合金心血管支架及其制备方法。
背景技术
在心血管治疗领域中,介入性支架治疗成为最重要的手段。载药金属支架使得术后再狭窄率较非支架治疗有了明显的降低。但心血管支架目前仍以非降解的金属材料为主(如316L不锈钢、钴-铬合金等),属于永久植入器械。然而,其存在对血管管壁的永久性物理刺激、与非植入部位血管力学性能的不相匹配、长期植入后的内膜增生、不能引导术后的血管再生以及由于重金属离子释放引起的局部炎症反应等不足。可降解心血管支架的开发可以很好地解决非降解支架的上述问题,并可在病变部位二次植入支架。然而目前大部分可降解的高分子支架在力学性能上尚不能满足支架的要求,造成支架植入后的早期弹性回缩,高分子降解过程中所诱发的急性及慢性炎症等也限制了可降解高分子支架的发展。
可降解镁合金心血管支架的开发受到了人们的广泛关注,它可在支架植入初期,为受损血管提供足够而稳定的力学支撑作用,并随着血管再生的完成,在体内实现完全降解。同时,由于镁具有优异的生物相容性,是人体内仅次于钙、钠和钾的常量元素,参与体内一系列新陈代谢过程,并具有抑制内膜增生的功能,可以减少支架植入后的再狭窄发生率,因而镁合金被寄希望成为新一代的心血管支架材料。
瑞士的Biotronic公司自2003年开始开发镁合金支架,采用WE43镁合金制作出可降解镁合金心血管支架,其力学性能与传统的316L不锈钢支架相当,并进行了动物试验及初期的临床试验。近几年,国内也相继开展了镁合金心血管支架的研究与开发。
从国内外研究结果可以看出,镁合金在血管内的降解速度仍然过快,这会引起一系列不良后果,如:力学损失过快;局部过高的pH值破坏了环境的生物相容性;剧烈的气泡生成,不利于内皮细胞及时地包裹支架。此外,目前的镁合金支架表面未携带药物涂层,使得初期抑制的内膜增生效果不够明显。在一项中国专利申请(公开号:CN 100998897A)中介绍了一种具有双重可控释放涂层的可吸收镁合金支架及其制备方法,对镁合金支架进行了防护处理并在表面携带了药物涂层。然而,其表面防护层采用的稀土转化膜、阳极氧化膜等都具有很大的脆性,易在支架膨胀和压缩过程中产生裂纹甚至断裂,影响支架的力学性能及耐蚀性能。因而,本发明提出一种更加适合镁合金支架的表面防护方法及表面携带药物涂层。
发明内容
本发明提供了一种带药可降解镁合金心血管支架及其制备方法,旨在降低镁合金在生物体内的初期降解速度,并在镁合金支架表面携带治疗性药物,从而保证镁合金支架在体内的力学性能及更好地抑制新生内膜的增生。
本发明的技术方案是:
一种带药可降解镁合金心血管支架,在镁合金支架表面设有防护层,并在镁合金支架外层设有载药层;其中,防护层为含氟转化膜,可以控制镁合金支架的降解速度;载药层由药物载体聚合物或蛋白等与治疗性药物组成,可以释放治疗性药物,降低镁合金支架植入后的再狭窄率。
所述镁合金支架包括由下列镁合金采用激光加工方法制备的心血管支架:纯镁;Mg-Mn,Mg-Al-Zn,Mg-Al-Mn,Mg-Al-Si,Mg-Al-RE,Mg-Al-Ca,Mg-Al-Ca-RE,Mg-Al-Sr,Mg-Zn-Zr,Mg-Zn-Al,Mg-Zn-Al-Ca,Mg-Zn-Mn,Mg-RE-Zr,Mg-RE,Mg-RE-Mn,Mg-RE-Zn等镁合金系;以及为了提高镁合金性能而设计的新型镁合金体系。
所述镁合金支架在制备含氟转化膜之前,经过机械抛光、电解抛光、表面清洗、去酯、去氧化膜等工艺。然后,在镁合金支架表面制备含氟转化膜,并在镁合金支架外层制备载药层。
所述含氟转化膜中的氟,在镁合金的降解过程中可与镁离子形成氟化镁沉积在镁合金表面,从而有一定程度的自愈合功能,提高了镁合金的耐蚀性。其制备过程为:将镁合金支架浸泡于含有氟离子的化学转化液中,在一定的温度、pH值、时间条件下,通过化学反应、扩散等作用,在镁合金支架表面形成一定厚度的含氟转化膜。该层含氟转化膜的厚度为:10nm-50um。
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