[发明专利]喷墨印字头加热器件结构无效

专利信息
申请号: 200710149963.8 申请日: 2007-10-08
公开(公告)号: CN101407130A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 李致淳;赖伟夫;李明玲 申请(专利权)人: 国际联合科技股份有限公司
主分类号: B41J2/14 分类号: B41J2/14;B41J2/05
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 喷墨 印字头 加热 器件 结构
【权利要求书】:

1、一种喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,包括:

一衬底;

一绝缘层,位于该衬底之上;

一电阻层,位于该绝缘层之上,其中该电阻层至少具有一加热区与两个对应的非加热区;

一热消散层,位于该电阻层的该些非加热区与该绝缘层之间;

一第一保护层,覆盖该电阻层;以及

一导电层,分别与该电阻层的该些非加热区电性连接。

2、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该热消散层的材料包括金属或非金属。

3、如权利要求2所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该热消散层的材料包括金、银、钽、钨或金属复合材料。

4、如权利要求2所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该热消散层的材料包括钻石、合成碳或碳化物。

5、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层的材料包括掺杂多晶硅。

6、如权利要求5所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层的该些非加热区内的掺杂浓度大于该加热区内的掺杂浓度。

7、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一空穴效应保护层,覆盖该第一保护层。

8、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一第二保护层,覆盖该导电层并露出该加热区上的该第一保护层。

9、如权利要求8所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该第二保护层的材料包括二氧化硅或氮化硅。

10、如权利要求8所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一空穴效应保护层,覆盖该第一保护层。

11、如权利要求10所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该空穴效应保护层延伸覆盖该第二保护层。

12、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一第二保护层,覆盖该导电层与该第一保护层。

13、如权利要求12所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一空穴效应保护层,覆盖该第二保护层。

14、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该绝缘层的材料包括二氧化硅。

15、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该第一保护层的材料包括二氧化硅、氮化硅或碳化硅。

16、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一接触窗,位于该第一保护层内,用以电性连接该导电层以及该电阻层的该些非加热区。

17、一种喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,包括:

一衬底;

一绝缘层,位于该衬底之上;

一电阻层,位于该绝缘层之上,该电阻层至少具有一个加热区与两个对应的非加热区;

一热消散层,位于该电阻层的该些非加热区与该绝缘层之间;

一第一保护层,覆盖该电阻层;

一导电层,位于第一保护层之上;以及

一接触窗,位于该第一保护层内,用以电性连接该导电层以及该电阻层的该些非加热区。

18、如权利要求17所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层的材料包括掺杂多晶硅,该电阻层的该些非加热区内的掺杂浓度大于该加热区内的掺杂浓度。

19、如权利要求18所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层离子掺杂浓度在该加热区为1.0×1015-6.0×1020ions/cm2,在该些非加热区中离子掺杂浓度约为1.0×1021-1.0×1030ions/cm2

20、如权利要求17所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一第二保护层,覆盖该导电层并露出该加热区上的该第一保护层。

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