[发明专利]喷墨印字头加热器件结构无效
| 申请号: | 200710149963.8 | 申请日: | 2007-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN101407130A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
| 发明(设计)人: | 李致淳;赖伟夫;李明玲 | 申请(专利权)人: | 国际联合科技股份有限公司 |
| 主分类号: | B41J2/14 | 分类号: | B41J2/14;B41J2/05 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 喷墨 印字头 加热 器件 结构 | ||
1、一种喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,包括:
一衬底;
一绝缘层,位于该衬底之上;
一电阻层,位于该绝缘层之上,其中该电阻层至少具有一加热区与两个对应的非加热区;
一热消散层,位于该电阻层的该些非加热区与该绝缘层之间;
一第一保护层,覆盖该电阻层;以及
一导电层,分别与该电阻层的该些非加热区电性连接。
2、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该热消散层的材料包括金属或非金属。
3、如权利要求2所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该热消散层的材料包括金、银、钽、钨或金属复合材料。
4、如权利要求2所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该热消散层的材料包括钻石、合成碳或碳化物。
5、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层的材料包括掺杂多晶硅。
6、如权利要求5所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层的该些非加热区内的掺杂浓度大于该加热区内的掺杂浓度。
7、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一空穴效应保护层,覆盖该第一保护层。
8、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一第二保护层,覆盖该导电层并露出该加热区上的该第一保护层。
9、如权利要求8所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该第二保护层的材料包括二氧化硅或氮化硅。
10、如权利要求8所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一空穴效应保护层,覆盖该第一保护层。
11、如权利要求10所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该空穴效应保护层延伸覆盖该第二保护层。
12、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一第二保护层,覆盖该导电层与该第一保护层。
13、如权利要求12所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一空穴效应保护层,覆盖该第二保护层。
14、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该绝缘层的材料包括二氧化硅。
15、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该第一保护层的材料包括二氧化硅、氮化硅或碳化硅。
16、如权利要求1所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一接触窗,位于该第一保护层内,用以电性连接该导电层以及该电阻层的该些非加热区。
17、一种喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,包括:
一衬底;
一绝缘层,位于该衬底之上;
一电阻层,位于该绝缘层之上,该电阻层至少具有一个加热区与两个对应的非加热区;
一热消散层,位于该电阻层的该些非加热区与该绝缘层之间;
一第一保护层,覆盖该电阻层;
一导电层,位于第一保护层之上;以及
一接触窗,位于该第一保护层内,用以电性连接该导电层以及该电阻层的该些非加热区。
18、如权利要求17所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层的材料包括掺杂多晶硅,该电阻层的该些非加热区内的掺杂浓度大于该加热区内的掺杂浓度。
19、如权利要求18所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,该电阻层离子掺杂浓度在该加热区为1.0×1015-6.0×1020ions/cm2,在该些非加热区中离子掺杂浓度约为1.0×1021-1.0×1030ions/cm2。
20、如权利要求17所述的喷墨印字头加热器件结构,其特征在于,还包括一第二保护层,覆盖该导电层并露出该加热区上的该第一保护层。
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