[发明专利]大流体输送装置

权利要求书

1.一种大流体输送装置，用以传送一流体，其特征在于包含：

一阀体座，其具有一微凸结构；

一阀体盖体，其设置于该阀体座上，且具有一压力腔室以及一微凸结构，该压 力腔室的深度是100μm至300μm，直径是15mm至25mm；

一阀体薄膜，其设置于该阀体座及该阀体盖体之间，并具有至少一个阀开关结 构；以及

一致动装置，其包含一致动器以及一振动薄膜；

其中，该阀体薄膜的该阀开关结构是分别与该阀体座及该阀体盖体的该微凸结 构相抵触以形成一预作用力，并使该阀开关结构与该阀体座以及该阀体盖体之间分 别形成一间隙，当施以操作频率10Hz-50Hz于该致动装置的该致动器上，该致动 装置将致使该压力腔室体积改变，进而驱动该阀开关结构的启闭作用，以使流经该 压力腔室的该流体达到5cc/min以上的大流量传输。

2.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该流体包括气体及液体。

3.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该阀体座及该阀体盖体 是以热塑性塑胶材料射出而形成。

4.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该微凸结构是由于该阀 体座及该阀体盖体上的多个凹槽内分别设置一密封环所形成，而该密封环部份突出 于该凹槽。

5.根据权利要求4所述的大流体输送装置，其特征在于该密封环的材质是耐生 化性佳的橡胶材料。

6.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该微凸结构是采用半导 体工艺形成于该阀体座及该阀体盖体上。

7.根据权利要求6所述的大流体输送装置，其特征在于该半导体工艺是光刻或 镀膜或电铸技术。

8.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该阀体薄膜的材质是高 分子材料，且其弹性模数是2GPa～20GPa。

9.根据权利要求8所述的大流体输送装置，其特征在于该高分子材料是聚亚酰 胺。

10.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该阀体薄膜的材质是 金属材料，且其弹性模数是2GPa至240GPa。

11.根据权利要求10所述的大流体输送装置，其特征在于该金属材料是铝、铝 合金、镍、镍合金、铜、铜合金或不锈钢材料。

12.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于所述间隙的距离是10 μm至790μm。

13.根据权利要求12所述的大流体输送装置，其特征在于该阀开关结构与该阀 体座的该间隙是180μm至300μm。

14.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该振动薄膜的厚度是 10μm至300μm。

15.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该振动薄膜的厚度是 100μm至250μm。

16.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该振动薄膜的杨氏系 数是60GPa至300GPa。

17.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该振动薄膜是单层金 属结构。

18.根据权利要求17所述的大流体输送装置，其特征在于该振动薄膜是不锈钢 结构，且其杨氏系数是240GPa，厚度介于140μm至160μm。

19.根据权利要求15所述的大流体输送装置，其特征在于该振动薄膜是铜结构， 且其杨氏系数是100GPa，厚度介于190μm至210μm。

20.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该振动薄膜薄膜是双 层结构，可由单层金属材料与耐生化高分子材料贴合而成。

21.根据权利要求1所述的大流体输送装置，其特征在于该致动器是一压电板。