[发明专利]用于表征器件自加热的结构和方法有效
申请号: | 200710140228.0 | 申请日: | 2007-08-06 |
公开(公告)号: | CN101183398A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 王平川;G·拉罗莎;K·W·克尔芬巴赫;P·A·海德 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 表征 器件 加热 结构 方法 | ||
1.一种方法,包括以下步骤:
确定给定器件的多晶栅极温度;
确定监测器件的沟道温度;
外推所述监测器件的沟道温度以获得所述给定器件的沟道温度;以及
基于所述多晶栅极温度和所述沟道温度确定所述给定器件的温度差(ΔT值)。
2.根据权利要求1的方法,其中使用亚阈值斜率确定所述沟道温度。
3.根据权利要求2的方法,其中通过I漏极/V栅极扫描确定所述亚阈值斜率。
4.根据权利要求1的方法,其中所述外推包括使距离测量至离所述给定器件零距离。
5.根据权利要求1的方法,其中对于所述给定器件获得在给定栅极氧化物厚度处的所述ΔT值。
6.根据权利要求1的方法,其中所述ΔT值是所述栅极氧化物的热特性,其基本上不依赖于几何结构和环境。
7.根据权利要求1的方法,其中所述给定器件为在确定所述多晶栅极温度期间未被供电的加热器件。
8.根据权利要求1的方法,其中通过测量横跨所述多晶栅极的电阻确定所述多晶栅极温度。
9.根据权利要求1的方法,还包括通过将所述ΔT值加到第二器件的多晶栅极温度确定所述第二器件的沟道温度。
10.根据权利要求1的方法,还包括在所述给定器件的所述多晶栅极的每一个端处提供至少一个接触。
11.根据权利要求1的方法,其中这样确定所述多晶栅极温度,通过在已知温度下对于一系列电压绘制所述加热器件的电压与栅极电流的关系以获得电阻和相对于温度绘制所述电阻以确定所述多晶栅极温度。
12.一种方法,包括以下步骤:
测量未被供电的加热器件的多晶栅极温度;
通过使用亚阈值斜率确定监测器件的沟道温度;
外推所述监测器件的沟道温度至离所述加热器件零距离以获得所述加热器件的沟道温度;以及
对于所述加热器件确定所述沟道温度与所述多晶栅极温度之间的温度差(ΔT值)。
13.根据权利要求12的方法,其中通过I漏极/V栅极扫描确定所述亚阈值斜率。
14.根据权利要求12的方法,其中对于所述加热器件获得在给定栅极氧化物厚度处的所述ΔT值。
15.根据权利要求12的方法,其中通过测量横跨所述多晶栅极的电阻确定所述多晶栅极温度。
16.根据权利要求12的方法,还包括通过将所述ΔT值加到第二器件的多晶栅极温度确定所述第二器件的沟道温度。
17.根据权利要求12的方法,其中这样确定所述多晶栅极温度,通过在已知温度下对于一系列电压绘制所述加热器件的电压与栅极电流的关系以获得电阻和相对于温度绘制所述电阻以确定所述多晶栅极温度。
18.根据权利要求12的方法,其中所述加热器件包括在所述栅极的每一个端处的至少一个接触。
19.一种器件,包括:
加热器件,具有在其每一个端处具有至少一个接触的多晶栅极;和
多个监测器件,与所述加热器件间隔已知距离。
20.根据权利要求19的器件,其中所述至少一个接触为在每一个端处的两个接触。
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