[发明专利]含硅烷醇的光电导体有效
申请号: | 200710129088.7 | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN101105646A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | J·吴;K·-T·丁;K·M·卡麦克;S·M·范杜森;L·-B·林;M·S·勒特克;R·C·U·于 | 申请(专利权)人: | 施乐公司 |
主分类号: | G03G5/06 | 分类号: | G03G5/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲;韦欣华 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅烷 光电 导体 | ||
技术领域
本公开内容总体上涉及层状成像元件、感光体、光电导体等。 更具体地,本公开内容涉及多层柔性的带成像元件,或由任选的支撑介质如基材,光生层,和电荷输送层,特别是多个电荷输送层,如第一电荷输送层和第二电荷输送层,任选的粘合层,任选的空穴阻挡层或中间涂层,和任选的外涂层构成的器件。
背景技术
本公开内容总体上涉及层状成像元件、感光体、光电导体等。 更具体地,本公开内容涉及多层柔性的带成像元件,或由任选的支撑介质如基材,光生层,和电荷输送层,特别是多个电荷输送层,如第一电荷输送层和第二电荷输送层,任选的粘合层,任选的空穴阻挡层或中间涂层,和任选的外涂层构成的器件,并且其中至少一个电荷输送层包含至少一种电荷输送组分、聚合物或树脂基料、硅烷醇和任选的抗氧剂。此外,至少一个电荷输送层可以没有硅烷醇;在实施方案中光生层,和至少一个电荷输送层可包含硅烷醇;和在实施方案中光生层可包含硅烷醇,并且电荷输送层可以没有硅烷醇。在此举例说明的感光体在实施方案中具有优异的耐水性,延长的寿命,在元件的表面层上成像元件划痕的消除或最小化,和该划痕可导致不希望的印刷物故障,其中例如划痕在产生的最终印刷物上可见。另外,在实施方案中在此公开的成像元件具有优异,和在许多情况下低的Vr(残余电势),并且当适当时允许基本防止Vr循环;高灵敏度;低可接受的图像幻影特性;低背景和/或最小缺电荷点(CDS);和所需的调色剂清洁性。更具体地,在实施方案中在此举例说明了在成像元件中引入合适的硅烷醇,该硅烷醇可以包括在至少一个电荷输送层、光生层中,包括在至少一个电荷输送层和光生层两者中。至少一个在实施方案中表示例如一个,表示1-约10个,表示2-约7个;表示2-约4个,表示两个等。此外,硅烷醇可以加入到至少一个电荷输送层中,即例如替代不溶于电荷输送层溶液,硅烷醇可以加入到电荷输送物中作为掺杂剂,和更具体地,硅烷醇可以加入到顶部电荷输送层中。相似地,硅烷醇可以在此层在基材上的沉积之前包括在光生层分散体中。
在本公开内容的范围中也包括采用在此举例说明的感光器件成像和印刷的方法。这些方法通常包括在成像元件上形成静电潜像,随后采用调色剂组合物显影图像,该组合物由例如热塑性树脂、着色剂如颜料、电荷添加剂和表面添加剂构成,参考美国专利4,560,635;4,298,697和4,338,390,该文献的公开内容在此完全引入作为参考,随后转印图像到合适的基材,并将图像永久附加到其上。在其中器件要以印刷模式使用的那些环境中,成像方法包括相同的操作,区别在于可以采用激光设备或图像棒完成曝光。更具体地,在此公开的柔性带可以选择用于Xerox Corporation iGEN3机器,该机器每分钟产生超过100个副本,有一些变体。成像,特别是静电复印成像和印刷,包括数字和/或彩色印刷的方法因此由本公开内容包括。成像元件在实施方案中在例如约400-约900纳米,和特别地约650-约850纳米的波长区域中敏感,因此二极管激光器可以选择作为光源。此外,本公开内容的成像元件用于高分辨率彩色静电复印应用,特别是高速彩色复印和印刷工艺。
发明内容
公开了具有在此举例说明的许多优点的成像元件,这些优点为例如超过约3,000,000个成像循环的延长使用寿命;优异的电子特性;稳定的电性能;低图像幻影;低背景和/或最小缺电荷点(CDS);在暴露于某些溶剂的蒸气时耐电荷输送层断裂的性能;优异的表面特性;改进的耐磨性;与许多调色剂组合物的相容性;成像元件擦划特性的避免或最小化;一致Vr(残余电势),该一致的Vr在许多成像循环内基本是平的或没有变化,如由已知PIDC(光诱导放电曲线)的产生等举例说明。
也公开了层状抗擦划感光成像元件,该元件响应约700-约900纳米的近红外辐射。
另外公开了具有任选空穴阻挡层的柔性成像元件,该空穴阻挡层由金属氧化物、酚醛树脂和任选的酚化合物构成,并且该酚化合物包含至少两个,和更具体地,2-10个酚基团或例如重均分子量为约500-约3,000的酚醛树脂,允许例如具有优异有效电子输送的空穴阻挡层,它通常导致所希望的光电导体低残余电势V低。
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