[发明专利]带压阻传感器的微型二维扫描镜有效

专利信息
申请号: 200710118471.2 申请日: 2007-07-06
公开(公告)号: CN101082702A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 尤政;张弛;张高飞;于世洁 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G02B26/10 分类号: G02B26/10;G01D5/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 带压阻 传感器 微型 二维 扫描
【权利要求书】:

1.带压阻传感器的微型二维扫描镜,其特征在于,含有:反射镜片(1)、惯性产生器(2)、受激块(3)、压电驱动器(4)和柔性梁(5),其中,反射镜片(1)和惯性产生器(2)形成一个整体,呈形,水平部分是反射镜片(1),垂直部分是惯性产生器(2),所述整体的质心偏离柔性梁(5)水平方向的弯曲轴和垂直方向的扭转轴;压电驱动器(4)是一块压电陶瓷片,其输入信号是相互叠加的两个具有不同频率的正弦直流脉动电压,分别使反射镜片(1)对弯曲轴作弯曲偏转运动和对扭转轴作扭曲偏转运动,所述的正弦直流脉动电压  Uλ表示如下:

Uλ=U1m(1+sinω1t)+U2m(1+sinω2t)

其中U1m和U2m分别为两个正弦直流脉动电压的幅值,ω1和ω2分别为反射镜片(1)作弯曲偏转运动和作扭曲偏转运动的谐振频率;受激块(3),与所述压电驱动器(4)相粘结;柔性梁(5),上下两端分别与反射镜片(1)和受激块(3)相连接,在柔性梁(5)上设有:第一惠斯顿电桥电路(B)和第二惠斯顿电桥电路(T),其中:第一惠斯顿电桥电路(B)位于柔性梁(5)靠近受激块(3)的端部,由第一P型压阻(6)、第二P型压阻(7)、第三P型压阻(8)和第四P型压阻(9)组成,第一P型压阻(6)和第三P型压阻(8)形成对角,布置于[110]晶向,第二P型压阻(7)和第四P型压阻(9)形成对角,布置于[-110]晶向,第一惠斯顿电桥电路(B)用于反射镜片(1)弯曲偏转角θB的测量,送往外部信号处理器的输出电压VB与弯曲偏转角θB的关系用下式表示:

θB=1.45l·VBh·E·Vi]]>

其中l为柔性梁的长度,h为柔性梁的厚度,单位均为mm;E为硅的杨氏模量,单位为GPa;Vi为电桥的输入电压,与电桥输出电压VB的单位均为V;弯曲偏转角θB的单位为rad;第二惠斯顿电桥电路(T)由第一N型压阻(10)、第二N型压阻(11)、第三N型压阻(12)和第四N型压阻(13)组成,位于柔性梁(5)的中部,第一N型压阻(10)和第四N型压阻(13)形成对角,布置于[-100]晶向,第二N型压阻(11)和第三N型压阻(12)形成对角,布置于[010]晶向,用于测量反射镜片(1)的扭曲偏转角θT,第二惠斯顿电桥电路(T)送往外部信号处理器的输出电压VT与扭曲偏转角θT的关系式如下:

θT=0.64α·l·VTβ·b·G·Vi]]>

其中b为柔性梁的宽度,单位为mm;G为硅的剪切模量,单位为GPa;电桥输出电压VT的单位为V;扭曲偏转角θT的单位为rad;α和β为矩形截面柔性梁的扭转系数设定值;所述反射镜片(1)、惯性产生器(2)、受激块(3)和柔性梁(5)作为一个整体,选用(001)晶面的单晶硅,采用感应耦合等离子刻蚀ICP工艺加工而成。

2.根据权利要求1所述的带压阻传感器的微型二维扫描镜,其特征在于,所述所有的P型压阻采用硼离子注入和阱推扩散方式形成,所述所有的N型压阻采用磷离子注入和阱推扩散的方式形成,联接各压阻之间的导线(14)采用金材料。

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