[发明专利]直流电压转换器有效

专利信息
申请号: 200710112017.6 申请日: 2007-06-19
公开(公告)号: CN101330257A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 陈科宏;黄宏玮;郭斯彦;钟启晨 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛宝成;黄小临
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 直流 电压 转换器
【权利要求书】:

1.一种直流电压转换器,包括:

一电感;

一脉冲宽度调节器,根据该直流电压转换器的一转换电压输出端的电压 产生一脉冲;

一负载感测电路,感测该直流电压转换器的一负载电流的大小;

一可调式使能信号产生器,根据该脉冲以及该负载电流的大小产生一P 型金属氧化物半导体晶体管使能信号以及一N型金属氧化物半导体晶体管使 能信号,其中,该负载电流愈大,则该P型金属氧化物半导体晶体管使能信 号的上升动作与该N型金属氧化物半导体晶体管使能信号的上升动作之间的 一第一停滞时间愈短;以及

一功率晶体管组,包括至少一P型金属氧化物半导体晶体管与一N型金 属氧化物半导体晶体管,该P型金属氧化物半导体晶体管用于将该转换电压 输出端经由该电感耦接至一原始直流电压源,且该N型金属氧化物半导体晶 体管用于将该转换电压输出端经由该电感耦接至一接地端,其中,上述P型 金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管的导通状态分别由 该P型金属氧化物半导体晶体管使能信号与该N型金属氧化物半导体晶体管 使能信号控制。

2.如权利要求1所述的直流电压转换器,其中,该可调式使能信号产生 器包括:

一第一停滞时间控制电路,包括串联的多个反相器,所述反相器分别由 一第一驱动电流驱动,其中,该第一停滞时间控制电路的输入端检测到该P 型金属氧化物半导体晶体管使能信号的一上升动作后,其输出端将触发该N 型金属氧化物半导体晶体管使能信号的上升动作;

一第一电流源;以及

一电流补偿电路,由一补偿使能信号启动,将根据该负载电流的大小输 出一补偿电流;

其中,当该电流补偿电路未启动时,该第一驱动电流由该第一电流源提 供;并且当该电流补偿电路启动时,该第一驱动电流为该第一电流源与该补 偿电流之和,该补偿电流将令该第一驱动电流正比于该负载电流。

3.如权利要求2所述的直流电压转换器,其中,该负载感测电路包括:

一感测电压产生器,产生与该负载电流成正比的一感测电压;

一取样保持电路,取样该感测电压;

一电压-电流转换电路,将该感测电压转换成一第二驱动电流;

一电流驱动串联反相器延迟电路,其中包括:

串联的多个延迟单元,由串联的多个反相器所组成,用以传递一高电平 信号,其中,所述反相器分别由该第二驱动电流驱动;以及

多个D型触发器,分别对应所述延迟单元,统一由一撷取信号触发,用 以撷取所述延迟单元的输出端信号以产生多个数字信号;以及

一第一电流源校正单元,在该电流补偿电路启动之际校正该第一电流源, 令该直流电压转换器在一负载基准点上拥有最佳的上述第一停滞时间。

4.如权利要求3所述的直流电压转换器,其中,该补偿电流的值等于该 第二驱动电流减去一第二电流源的电流值,该第二电流源所提供的电流大小 等于该直流电压转换器在该负载基准点时该电压-电流转换器所产生的上述 第二驱动电流。

5.如权利要求4所述的直流电压转换器,其中,该第一电流源校正单元 在该电流补偿电路尚未启动时所执行的动作包括:

以该负载基准点作为上述负载电流;

计数处于高电平的所述数字信号;

调整该第一电流源并且持续计数处于高电平的所述数字信号;以及

当最少所述数字信号为高电平时,停止调整该第一电流源。

6.如权利要求1所述的直流电压转换器,其中,该功率晶体管组包括彼 此并联的多个P型金属氧化物半导体晶体管,用以将该转换电压输出端经该 电感耦接至该原始直流电压源。

7.如权利要求6所述的直流电压转换器,其中,更包括一接地噪声控制 器,用以分段导通所述P型金属氧化物半导体晶体管,其中,上述P型金属 氧化物半导体晶体管在各阶段的导通情形与该负载电流的大小有关。

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