[发明专利]电子发射显示器

说明书

对优先权的要求

本申请以引用方式将2006年4月26日提交给韩国知识产权局的、名称为“电子发射显示器件”的在先韩国专利申请No.10-2006-0037681纳入本申请文本，从而要求享有根据美国专利法(35U.S.C.)§119条款所产生的全部权益。

技术领域

本发明涉及电子发射显示器，尤其涉及可以解决电子发射显示器其上部外露的各电极处的电阻增加、弧光放电、以及导线断连这些问题的电子发射显示器。

背景技术

通常，电子发射器件使用热电子阴极和冷阴极作为电子发射源。使用冷阴极的各类型电子发射器件包括场致发射器件(FEDs)、表面传导发射(SCE)器件、金属-绝缘体-金属(MIM)器件、金属-绝缘体-半导体(MIS)器件、以及弹道式电子表面发射(BSE)器件。

FED器件基于这样的原理，即当使用具有低功函数或具有高β函数的材料作为电子发射源时，因真空中的场致发射差异而很容易发射电子。新近开发出的电子发射源，使用作为具有锐利尖端的主材料的钼或硅，诸如石墨、类金刚石碳(DLC)等这类碳材料，或者诸如纳米管或纳米导线的这类纳米材料所形成。

SCE器件是一在衬底上彼此相对设置的第一和第二电极两者间形成有一传导性薄膜以后在该传导性薄膜上形成有较细裂纹的电子发射源。该SCE器件基于这样的原理，即当通过对第一和第二电极提供电压而有电流通过该传导性薄膜的表面时便有电子从作为电子发射源的较细裂纹中发射。

MIM和MIS器件基于这样的原理，即当形成有分别具有MIM和MIS结构的电子发射源时，当在金属和金属之间，或者具有插入在金属和半导体之间的电介质层的金属和半导体之间提供电压时，便有电子从较高电势的金属或半导体向具有较低电势的金属发射并加速。

BSE器件则基于这样的原理，即当半导体的尺寸减小到比在该半导体中的电子的平均自由程距离更小的尺度时，电子不是散射而是按一直线行进。BSE器件是一电子发射器件，其在包括金属或半导体的电子供应层形成于一电阻性电极并且绝缘层和金属薄膜形成于该电子供应层以后，当对该电阻性电极和金属薄膜提供电压时发射电子。

图1是使用FED的现有电子发射显示器的局部分解透视图，图2是图1中的电子发射器件的平面图。

参照图1和图2，电子发射显示器100包括在电子发射器件101的正面具有荧光物质的正面屏90，该正面屏90和电子发射器件101所形成的空间由间隔体60支撑。而且，图1和图2尽管是按局部状态图示的，但该空间必须保持为真空。因此，在电子发射器件101和正面屏90两者间的空间用密封部件密封。

如图1所示，如果电子发射器件101具有的结构中的各电极外露在电子发射器件101的上表面上，密封部件便接触各电极。当密封部件接触各电极时，薄膜中所形成的各电极的电阻有所增加。各电极的电阻的增加使得电子发射显示器件101的总体驱动电压提高，发光效率降低。具体来说，当具有较窄宽度的各电极接触密封部件且电极中有电流通过时，便有可能造成弧光放电或导线断开连接这种问题。因此，需要开发一种方法来解决电阻增加、弧光放电、以及导线断连这些问题。

发明内容

本发明提供一种可以减轻或防止密封部件接触各电极的各部位处的电阻增加、弧光放电、以及导线断连这些问题的电子发射显示器。

根据本发明的一方面，提供的电子发射显示器包括：包括其上表面外露的电极的电子发射器件；配置于电子发射器件前面的正面屏，该正面屏具有荧光物质；以及适于密封由电子发射器件和正面屏所限定的空间的密封部件，该密封部件设置于接触该电极的空间的边缘上；其中该电极配置于电子发射器件的整个表面上，具有较窄部分的该电极配置于电子发射器件其中将电极配置为与外部电源连接的位置的端部；以及密封部件对电极的接触与该电极中配置有电极窄部的端部相比更为接近空间。

荧光物质最好是在经过加速的电子的激励下产生可见光。

正面屏最好还包括：配置为与电子发射器件相平行并面向该电子发射器件的正面衬底；以及配置于接近荧光物质的该正面衬底的下面并用以将电子发射源所发射的电子向该荧光物质加速的阳极。