[发明专利]垂直记录系统中用于减小宽面积道擦除的尾屏蔽件无效

专利信息
申请号: 200710101863.8 申请日: 2007-04-25
公开(公告)号: CN101064110A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 萧文千;徐一民;弗拉迪米尔·尼基汀 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31;G11B5/11
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 垂直 记录 系统 用于 减小 面积 擦除 屏蔽
【权利要求书】:

1.一种在垂直磁写头中使用的磁屏蔽件,该磁屏蔽件包括:

基本直的气垫面ABS;

中心区域;

外区域;以及

设置在该中心区域与该外区域之间的中间区域,

其中该外区域具有定义从该ABS测量基本恒定的喉高TH1的背边缘,该中心区域具有定义小于TH1的基本恒定的喉高TH2的背边缘,该中间区域具有定义变化的喉高的背边缘,该变化的喉高从朝向该中心区域的较小喉高渐变至朝向该外区域的较大喉高。

2.根据权利要求1的磁屏蔽件,其中该中间区域具有与所述中心区域的外端相遇的内端,且具有与该外区域的内端相遇的外端,且其中该中间区域的内端具有等于TH2的喉高且该中间区域的外端具有等于TH1的喉高。

3.根据权利要求2的磁屏蔽件,其中该中间区域具有从该中间区域的内端至该中间区域的外端线性变化的背边缘。

4.根据权利要求1的磁屏蔽件,其中TH1是TH2的1.5-5倍。

5.根据权利要求1的磁屏蔽件,其中该屏蔽件关于中线基本对称且其中该中心区域从该中线延伸0.4至0.5μm的距离。

6.根据权利要求1的磁屏蔽件,其中该屏蔽件具有中线且其中该中心区域从该中线延伸0.4至0.5μm的距离。

7.一种在垂直磁记录头中使用的磁尾屏蔽件,该屏蔽件包括:

设置在气垫面ABS的前边缘;

中心区域,具有定义从该ABS测量的中心区域喉高TH2的背边缘;

第一和第二中间区域,从该中心区域的相对两端横向延伸,该中间区域的每个具有定义随着离该中心区域的增大的距离而增大的喉高的背边缘;以及

第一和第二外区域,每个从该第一和第二中间区域之一横向向外延伸,该外区域的每个具有定义从该ABS测量基本恒定的喉高TH1的背边缘,TH1大于TH2。

8.根据权利要求7的磁尾屏蔽件,其中TH1是TH2的1.5至5倍。

9.根据权利要求7的磁尾屏蔽件,其中该中心区域具有0.8至1.0μm的横向宽度。

10.根据权利要求7的磁尾屏蔽件,其中该中间区域的每个具有定义从TH2线性变化至TH1的喉高的背边缘。

11.根据权利要求7的磁尾屏蔽件,其中该中间区域的每个具有从该中间区域遇到各该外区域处的TH1变化至该中间区域遇到该中心区域处的TH2的喉高。

12.根据权利要求7的磁尾屏蔽件,其中该中间区域的每个具有从该中间区域遇到各该外区域处的TH1线性变化至该中间区域遇到该中心区域处的TH2的喉高。

13.根据权利要求1的磁屏蔽件,其中该中间区域具有相对于该ABS定义10至20度角的背边缘。

14.根据权利要求7的磁尾屏蔽件,其中该中间区域的每个具有相对于该ABS定义10至20度角的背边缘。

15.一种在垂直磁记录系统中使用的磁写头,该写头包括:

具有尾边缘的磁写极;

磁返回极,与该写极磁连接;

导电写线圈,其一部分经过该返回极和该写极之间;

磁尾屏蔽件,与该写极的尾边缘相邻地形成且通过非磁尾屏蔽件间隙层与该写极的尾边缘分隔开,该磁尾屏蔽件具有朝向该写头的气垫面ABS设置的前边缘、以及与该ABS相反的背边缘、该屏蔽件具有有喉高TH2的中心部分、每个具有变化的喉高的第一和第二中间部分、以及具有基本恒定喉高TH1的第一和第二外部分,该第一和第二喉高从该ABS测量至该屏蔽件的背边缘,TH1大于TH2,每个中间部分设置在外部分和该中心部分之间。

16.根据权利要求15的磁写头,其中每个中间部分具有从TH2线性改变至TH1的喉高。

17.根据权利要求15的磁写头,其中TH1是TH2的1.5-5倍。

18.根据权利要求15的磁写头,其中该中心部分具有0.8-1.0μm的横向宽度。

19.根据权利要求15的磁写头,其中每个中间部分具有相对于该ABS形成10-20度角的背边缘。

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