[发明专利]高密度数据存储装置和利用该装置的数据记录或再现方法

权利要求书

1.一种使用记录介质和探针的高密度数据存储装置，所述高密度数据存储装置包括：

记录介质，所述记录介质被成形为由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的薄膜；和

探针，所述探针具有成形于其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质的顶部间隔开的情况下移动。

2.如权利要求1所述的高密度数据存储装置，其中，所述相变材料包括GeSbTe化合物或InSbTe化合物。

3.如权利要求1所述的高密度数据存储装置，其中，所述相变材料包括过渡金属氧化物。

4.如权利要求1所述高密度数据存储装置，其中，所述尖端具有场效应晶体管的沟道结构。

5.如权利要求1所述高密度数据存储装置，其中，所述记录介质具有形成在该记录介质下部的导电薄膜。

6.如权利要求5所述高密度数据存储装置，其中，所述探针与所述导电薄膜电连接。

7.一种高密度数据记录或再现方法，其使用在基底上形成为薄膜的记录介质和与该记录介质的表面间隔开地移动的探针，所述方法包括：

与所述记录介质的表面间隔开地移动所述探针；

对所述探针施加不同大小的第一和第二电压，使得从该探针的尖端发出热量；和

通过所述尖端发出的热量，改变所述记录介质的结晶相。

8.如权利要求7所述方法，其中，所述尖端具有场效应晶体管的沟道结构。

9.一种高密度数据记录或再现方法，其使用在下电极上形成为薄膜的记录介质和与该记录介质的表面间隔开地移动的探针，所述方法包括：

与所述记录介质的表面间隔开地移动所述探针；

在所述探针和所述下电极之间施加电压，从而在探针的尖端和所述下电极之间产生一个电场；

通过所述尖端和所述下电极之间的电场，改变所述探针之下的记录介质的阻抗。

10.一种高密度数据记录或再现方法，其使用在基底上形成为薄膜的记录介质和与该记录介质的表面间隔开地移动的探针，所述方法包括：

与所述记录介质的表面间隔开地移动所述探针；

对所述探针施加不同大小的第一和第二电压，使得从探针的尖端发出热量；和

通过所述探针之下的记录介质的热传导特性来改变从所述探针尖端发出的热量的量，从而通过施加到所述探针上的第一和第二电压而导致将检测到的在所述尖端上的阻抗变化。    

11.一种高密度数据记录或再现方法，其使用在下电极上形成为薄膜的记录介质和与该记录介质的表面间隔开地移动的探针，所述方法包括：

与所述记录介质的表面间隔开地移动所述探针；

在探针和下电极之间施加了电压的状态下通过处于记录介质的阻抗来改变所述记录介质的表面电场，从而改变探针尖端的阻抗；

对所述探针施加不同大小的第一和第二电压，从而导致将检测到的在所述尖端上的阻抗变化。