[发明专利]减小SRAM阱邻近效应的方法

说明书

技术领域

本发明涉及减小SRAM阱邻近效应的方法。

背景技术

在集成在同一芯片上的CMOS，例如NMOS和PMOS中，在硅衬底上需要至少一个阱。例如，当采用P型衬底时，NMOS可以制造在衬底上，而PMOS必须制造在衬底中的n阱上。作为选择，当采用n型衬底时，PMOS可以制造在衬底上，而NMOS必须制造在衬底中的p阱上。此外，为了避免与锁存有关的问题，通常采用双阱方式。无论衬底类型如何，双阱方式包括在p阱上形成NMOS和在n阱上形成PMOS。而目前一般都是利用离子注入的方法来形成所述阱的，例如专利号为ZL97103016.2的中国专利就公开了一种形成半导体器件的阱的方法，其中就使用了离子注入的方法。

在目前形成双阱的工艺中发现存在阱邻近效应(WPE，Well ProximityEffect)。所述阱邻近效应是指在利用离子注入形成阱的过程中，注入离子会沿光刻胶边缘发生散射而进入到阱的边缘，从而造成在阱的边缘处的掺杂轮廓在横穿阱的宽度上是不均匀的。而这种不均匀会使得阱中各个器件的特性参数不同，例如接近于阱的边缘的器件具有与远离阱边缘的器件不同的阈值电压。并且，随着CMOS技术深入扩展到亚微米并进入到纳米，器件逐渐变小，阱邻近效应对器件的特性参数的影响也越来越大。特别是对于具有阵列结构的存储器，例如静态存储器(SRAM)，由于阵列结构的特点，N阱和P阱都是间隔排列的，当进行离子注入以形成N阱或P阱的过程出现阱邻近效应时，所有N阱或P阱边缘的器件与远离阱边缘的器件都将产生器件特性参数的差值，而这样会对于整个SRAM的性能造成很大的影响。

发明内容

本发明提供一种减小SRAM阱邻近效应的方法，解决现有技术离子注入过程中出现阱邻近效应，对整个SRAM的性能造成影响的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种减小SRAM阱邻近效应的方法，包括下列步骤，

提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；

将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；

测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；

若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；

若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。

所述测量根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数为测量SRAM器件中同一MOS管的同一种电性参数。

所述电性参数为MOS管的阈值电压。

所述将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离包括，将N阱与P阱邻接的边界向P阱方向移动，N阱的另一条边界移动方向与所述邻接边界移动方向相反，P阱的另一条边界向N阱的方向移动；或者将P阱与N阱的邻接边界向N阱方向移动，P阱的另一条边界的移动方向与所述邻接边界移动方向相反，N阱的另一条边界向P阱的方向移动。

所述减小SRAM阱邻近效应的方法还包括，若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势不相同，则将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界的移动方向取反，并保持移动距离不变来重新获得对应的SRAM更新布图。

所述减小SRAM阱邻近效应的方法还包括，若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，所测得的电性参数与对应目标值的差值超出容忍范围，则改变单个SRAM初始布图同一阱中两条边界的移动距离来重新获得对应的SRAM更新布图，直到所测得的根据所述SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数与对应的目标值差值在容忍范围之内。

与现有技术相比，上述所公开的减小SRAM阱邻近效应的方法具有以下优点：上述所公开的减小SRAM阱邻近效应的方法中，通过改变SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱的两条边界的移动方向和移动距离，来得到使得对应SRAM更新布图的SRAM器件符合目标值要求的相邻N阱和P阱的两条边界的移动方向和移动距离。而符合目标值要求的SRAM器件具有良好的匹配性，也减小了阱邻近效应。并且，由于只需通过改变所述相邻N阱和P阱的两条边界的移动方向和移动距离，就能得到减小阱邻近效应的变化方法，因而所述减小阱邻近效应的方法效率较高。

附图说明

图1是本发明减小SRAM阱邻近效应的方法的一种实施方式流程图；

图2是图1所示方法的相邻N阱和P阱结构示意图；