[发明专利]低噪声宽带放大器电路

权利要求书

1.一种低噪声宽带放大器电路，其特征在于，包括第一级电路和第二级电路，所述第一级电路包括两个倒相器，差分输入信号的两端分别连接到所述两个倒相器的输入端，所述第二级电路也包括两个倒相器，所述第一级电路的两个倒相器的输出端分别连接到所述第二级电路的两个倒相器的输入端，所述第一级电路与所述第二级电路之间采用电流源隔离，所述第二级电路与电源之间也隔离有电流源，所述第二级电路的两个倒相器的输出端为低噪声宽带放大器电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的低噪声宽带放大器电路，其特征在于，所述第一级电路的输出端和所述第二级电路的输入端之间设置有耦合电容；所述差分输入信号与所述第一级电路的输入端之间也设置有耦合电容。

3.根据权利要求1所述的低噪声宽带放大器电路，其特征在于，所述倒相器包括一个NMOS管和一个PMOS管，所述NMOS管的栅极与所述PMOS管的栅极相连接，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极相连接，所述NMOS管和PMOS管的栅极和漏极之间连接有可变电阻，所述NMOS管和PMOS管的栅极为所述倒相器的输入端，所述NMOS管和PMOS管的漏极为所述倒相器的输出端；在第一级电路中，两个PMOS管的源极相连接，两个NMOS管的源极相连接并接地；在第二级电路中，两个PMOS管的源极相连接，两个NMOS管的源极相连接；所述第一级电路与所述第二级电路之间隔离的电流源设置在所述第一级电路PMOS管的源极与所述第二级电路NMOS管的源极之间，所述第二级电路与电源之间的电流源设置在所述第二级电路PMOS管的源极与电源之间。

4.根据权利要求3所述的低噪声宽带放大器电路，其特征在于，所述第一级电路和第二级电路之间的电流源包括一个NMOS管，该NMOS管的栅极连接有偏置电压，该NMOS管的漏极连接到所述第二级电路NMOS管的源极，该NMOS管的源极连接到所述第一级电路PMOS管的源极。

5.根据权利要求4所述的低噪声宽带放大器电路，其特征在于，所述偏置电压由一电压偏置电路提供，所述电压偏置电路的偏置电压输出端分别连接三个电阻R5、R6、R7和一个电容C5的一端，所述电阻R5的另一端连接到所述第二级电路的一个输出端，所述电阻R6的另一端连接到所述第二级电路的另一个输出端，所述电阻R7的另一端与所述电容C5的另一端都连接到所述第一级电路中PMOS管的源极。