[发明专利]可降低色度不均匀现象的显示影像系统

说明书

技术领域

本发明提供一种显示影像系统，尤指一种可降低色度不均匀现象的显示 影像系统。

背景技术

随着平面显示器不断的推陈出新，各家厂商为了增加自家产品的竞争 力，无不投入大量的资金以研发出新的平面显示技术。为了满足其技术高要 求的应用，显示器面板厂商开始着眼于主动矩阵式有机电激发光二极管 (active-matrix organic light emitting displays，AMOLED)的应用。主动矩阵式有 机电激发光二极管(AMOLED)具有一集成电子底板并且特别适合使用在高 分辨率与高信息量的影像应用上。多晶硅具有高载子移动率、提供高电载容 量的薄膜晶体管以及高切换速率等优点，因此使得上述的显示方式由于多晶 硅技术的发展而成为可能。在一主动矩阵式有机电激发光二极管显示中，每 一个独立像素皆可藉由相对应的安装于集成电子底板上的驱动用薄膜晶体 管与电容器而达到个别寻址的效果。

请参阅图1，图1为公知一主动矩阵式有机电激发光二极管10的电路图。 主动矩阵式有机电激发光二极管10包含有复数个以矩阵方式排列的像素 100，为求简化，图1仅显示一个像素。像素100耦接于VDD与VEE电压 源之间并且藉由相对应的栅极线12与数据线14以电连接于外部驱动电路， 而每一个像素皆使用一有机电激发光二极管102作为一像素发光装置。每一 个像素100另包含一储存电容器104，一n型控制用薄膜晶体管106，以及 一p型驱动用薄膜晶体管108。在每一个像素100中，控制用薄膜晶体管106 的栅极与漏极分别电连接于栅极线12与数据线14，而驱动用薄膜晶体管108 的栅极与源极分别电连接于控制用薄膜晶体管106的一源极与电压源VDD。 储存电容器104耦接于驱动用薄膜晶体管108的栅极与源极。有机电激发光 二极管102耦接于驱动用薄膜晶体管108的漏极与电压源VEE。

以下将描述主动矩阵式有机电激发光二极管10的操作。首先，由一外 部栅极驱动电路产生一栅极控制信号并将其传输至栅极线12用以开关控制 用薄膜晶体管106。接着，由一外部数据驱动电路到数据线14提供一信号电 压，再藉由已开启的控制用薄膜晶体管106，输出此信号电压至驱动用薄膜 晶体管108的栅极与储存电容器104，驱动用薄膜晶体管108再依据此信号 电压供应一驱动电流至有机电激发光二极管102，使之发光。

一般而言，一薄膜晶体管具有三个工作模式：关闭模式，线性模式，以 及饱和模式。举例来说，一n型薄膜晶体管的漏极电流特性可以下列的公式 表示：

(1)当Vgs＜Vth，Id_off＝0；

(2)当0＜Vds＜Vgs-Vth，Id_linear＝μC_OXW_effL_eff[(Vgs-Vth)Vds-Vds²/2]；

(3)当0＜Vgs-Vth＜Vds，Id_sat＝[μC_OXW_effL_eff(Vgs-Vth)²]/2。

其中，μ为载子有效表面移动率；

C_OX为栅极氧化电容；

W_eff为有效通道宽度；

L_eff为有效通道长度；

Vgs为薄膜晶体管栅极与源极之间的电压值；

Vds为薄膜晶体管漏极与源极之间的电压值；

Vth为薄膜晶体管临界电压值；

Id_off为薄膜晶体管在关闭模式下的漏极电流；

Id_linear为薄膜晶体管在线性区下的漏极电流；

Id_sat为薄膜晶体管在饱和区下的漏极电流。