[发明专利]错列垂直梳状驱动器加工方法

权利要求书

1.一种加工错列垂直梳状驱动器的方法，包括以下步骤：

a)提供一个具有正面和背面的晶片，在所述晶片的正面包含一个器件层；

b)从所述晶片的正面对所述器件层进行蚀刻，在其上生成2个梳状结构，所述梳状结构包括相互交叉的第一组齿爪与第二组齿爪；

c)通过蚀刻方法去除所述第一组齿爪的每个齿爪顶部，在垂直方向上缩短第一组齿爪；以及

d)通过从所述晶片背面蚀刻的方法去除所述第二组齿爪的每个齿爪下部，在垂直方向上缩短所述第二组齿爪，形成与所述第一组齿爪存在垂向偏移的所述第二组齿爪。

2.如权利要求1所述的方法，其中步骤(a)包括在所述器件层上生成双层掩模而暴露出所述第一和第二组齿爪之间部分的步骤。

3.如权利要求2所述的方法，其中生成双层掩模的步骤包括以下分步骤：

a1)在所述器件层上生成第一掩模，以便暴露出对应于所述第一组齿爪的部分；

a2)在所述器件层和所述第一掩模上加工出一个基本可以抵御步骤(b)中所用蚀刻工艺的掩模层；以及

a3)去除所述掩模层部分，以生成确定所述第一和第二组齿爪的第二掩模，并暴露出所述第一和第二组齿爪二者之间的晶片部分。

4.如权利要求3所述的方法，其中步骤(a2)中采用的掩模层为光刻胶。

5.如权利要求3所述的方法，其中步骤(a1)中的所述第一掩模由氧化层形成。

6.如权利要求3所述的方法，其中在步骤(a3)之后进行以下步骤：

a4)采用掩模层可抵御的蚀刻工艺去除所述第一掩模图样的暴露部分，以便将第一和第二掩模图样在要生成第二组齿爪的器件层部分上对准。

7.如权利要求6所述的方法，包括在步骤(c)之前去除所述第一掩模的步骤。

8.如权利要求1的方法，其中步骤(d)包括以下步骤：

d1)首先在晶片背面生成第三掩模，以便在步骤(d)的蚀刻中保护所述第一组齿爪，并暴露出所述第二组齿爪的下部进行所述的蚀刻。

9.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

e)在步骤(c)之后、步骤(d)之前，将一个承载晶片贴附到所述器件层上。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述晶片还包括基层和隔离层，其中所述隔离层夹在所述器件层与所述基层之间。

11.如权利要求10所述的方法，还包括在步骤(d)之前至少部分去除所述基层以减薄所述晶片的步骤。

12.如权利要求10所述的方法，其中隔离层包含氧化硅。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述器件层包含导电层。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述器件层包含蚀刻阻挡层。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层在至少步骤(c)和(d)二者之一中用于分别阻止对所述第一或所述第二组齿爪的蚀刻。

16.如权利要求1所述的方法，其中步骤(c)和(d)二者之一的蚀刻采取时控。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述器件层包含一个或多个半导体层。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述的一个或多个半导体层包含硅。