[发明专利]用于紫外光二极管的单组分荧光粉

权利要求书

1.一种紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其是在半导体铟镓氮化物的异质结基础上制作而成，该异质结辐射光谱最大值从λ＝395～405nm的近紫外线光，其特征在于：一均匀浓度的发光转换涂层形成于该异质结辐射表面，且该发光转换涂层中填充有至少一单组分氮化物宽频带荧光粉，该荧光粉完全吸收该异质结的第一级辐射并辐射白光光致发光，其中该荧光粉是以IV、III和II族元素含氧氮化物为基质，其被氮化物异质结紫外线辐射所激发并成为上述白光发光二极管的组分，具有化学计量公式：∑(Me^Ⅱ_1-yMe^Ⅲ_y)₁(Si₆Al₃)(N₁₁O_2.5)，其构造为β-硅铝层，这时Me^Ⅱ＝Ca、Mg、Sr、Ba及Me^Ⅲ＝Ga、In、Y，其中该化学计量公式的化学计量指数在以下区间内变化：0.2＜y≤0.25。

2.如权利要求1所述的紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其中该发光转换涂层源于热固性聚合物。

3.如权利要求1所述的紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其中该荧光粉的比色坐标从x＝0.36，y＝0.36至x＝0.39，y＝0.39。

4.如权利要求1所述的紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其中该发光二极管进一步具有一球面镜盖，且该镜盖光轴与该异质结的主要辐射平面几何中心重合，当该镜盖底部与该发光转换涂层之间的空间填充有硅有机溶胶基质的光学聚合物时，其中溶胶在λ＝390～405nm的区域折射率为1.48≤n≤1.58，确保了该发光转换涂层白光辐射输出时的色温T≥2800K，且没有光波色散。

5.如权利要求1所述的紫外线辐射异质结基体的白光发光二极管，其中该发光二极管的辐射光强度在开角2θ＝6°，其激发功率W＝1W时，不低于50cd。

6.一种无机荧光粉，其是以IV、III和II族元素含氧氮化物为基质，其被氮化物异质结紫外线辐射所激发并成为如权利要求1所述的白光发光二极管的组分，具有化学计量公式：

∑(Me^Ⅱ_1-yMe^Ⅲ_y)₁(Si₆Al₃)(N₁₁O_2.5)，其构造为β-硅铝层，这时Me^Ⅱ＝Ca、Mg、Sr、Ba及Me^Ⅲ＝Ga、In、Y，其中该化学计量公式的化学计量指数在以下区间内变化：0.2＜y≤0.25。 

7.如权利要求6所述的无机荧光粉，其进一步具有至少两种源于Eu⁺²、Sm⁺²或Yb⁺²或Ce⁺³、Pr⁺³或Dy⁺³的激化剂，以达到激化作用。

8.如权利要求6所述的无机荧光粉，其中其阳离子晶格组成中按照一定比例加入周期表II A族元素[Mg⁺²_x]+[Ca⁺²_y]+[Sr⁺²_z]+[Ba⁺²_p]，且∑x+y+z+p≤0.75同时部分阳离子晶格结点被一定比例的III族元素所代替，为∑(Ga_m+In_n+Y_p)，其中∑m+n+p≤0.25。

9.如权利要求8所述的无机荧光粉，其中Si₃N₄及AlN类型氮化物形成阳离子晶格，Si₃N₄和AlN的摩尔比为2∶3并形成变形的六面体晶格，源于阳离子晶格氧化物的过剩氧原子是晶格中起联结作用的元素。