[发明专利]激光淬火方法无效
申请号: | 200710085503.3 | 申请日: | 2007-03-07 |
公开(公告)号: | CN101050482A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 山崎恒彦;宫川直臣 | 申请(专利权)人: | 山崎马扎克公司 |
主分类号: | C21D1/09 | 分类号: | C21D1/09 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 淬火 方法 | ||
技术领域
本发明涉及利用半导体激光器的淬火方法。
背景技术
例如,在专利文献1(JP特开2003-138314号公报)中公开了本申请人提出的激光淬火装置。另外,在专利文献2(JP特开2005-238253号公报)中公开了装备在机床主轴上的能拆装自如的激光淬火工具。
这些激光淬火工具,把从激光发生源的半导体激光棒或半导体激光塔(stack)发出的激光,通过光纤、导波路,传送到工具前端的光矩上。
图1是被使用在本发明的激光淬火方法中的激光淬火工具的斜视图,图2是表示激光淬火工具的整体构成的侧剖视图,图3是图2的俯视图。用标号100表示整体的激光淬火工具具有被载置在基座110上的半导体激光塔120。半导体激光塔120具有电源连接端子122,被连接在未图示的电源上。
半导体激光塔120的输出被投入到有光通路132的保持架130内。在保持架130的光通路132内装备聚光光学系统(透镜)134,将半导体激光塔120的输出光束聚光。
被聚光的激光束向保持架140内的散光光学系统透镜142输入,进行发散使光束的轴线平行。发散的激光向安装在方形光导波路150的一端部的第1反射镜160输送。被反射镜160反射在方形光导波路150轴线方向上的激光一边被方形光导波路150内面上的反射面152反射一边前进,被投射在保持架172内的再聚光光学系统透镜170上。
在通过该方形光导波路150的期间,与以往的圆形剖面的光导波路相比,反射次数降低了,衰减也少了。
被再聚光光学系统透镜170再次聚光的激光束,被第2反射镜180将轴线改变90°,从光导波路喷嘴190射出,在未图示的工件表面上实施淬火处理。
图6是表示利用上述的激光淬火工具100的激光淬火工艺的说明图。
在工件W上激光淬火工具100的喷嘴190一边照射激光束LB一边沿箭头F1方向前进,在工件W表面上形成沿着中心线L1的淬火部Y1。在接受来自当前的喷嘴190的激光束LB的照射的部分形成激光加热部H0。
在比激光加热部H0稍微靠后的区域R1,由激光产生的热量扩散到工件W的母材内被迅速冷却。
图7是表示激光淬火原理的说明图。
图7中的a图表示接受来自喷嘴190的激光束LB的照射的状态,形成高温的激光加热部H0。
图7中的b图表示喷嘴通过后的冷却部的加热部H1的状态。因激光而接受的热能量E1扩散到工件W的母材内被迅速冷却。通过该作用形成图7中的c图所示的淬火部H2。
图8表示使喷嘴190沿着中心线L1通过的状态,表示形成了宽度尺寸D1的激光加热部H0和淬火部的状态。
因为通过一次进程的激光淬火的宽度尺寸D1比较狭窄,所以为了形成宽度尺寸较大的淬火部,需要之后进行多次进程的激光淬火。
图9表示在宽度尺寸D10的较大区域内进行激光淬火的状态。
将喷嘴190移动间距P1达到与中心线L1、L2、L3对应的位置,形成淬火层H11、H12、H13。
图10表示淬火层H13处理完成,进行相邻层H14的淬火的状态。在对层H14进行淬火时,被激光束LB加热的层H14的能量E1向通过淬火被硬化的层H13侧传导,通过该热,被硬化的淬火层H13被再次加热。
通过该再次加热,跟已经通过淬火硬化的淬火层H3的层H14相邻的部分变成退火状态,形成软化层S13。
也就是说,为了得到淬火宽度D10,通过多次进程,进行所谓的重叠烧制,在淬火层之间形成软化层。
通过该现象,淬火层表面硬度高的表面HS和硬度低的表面SS形成以带状相邻的结构。
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