[发明专利]箭头型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺无效

专利信息
申请号: 200710054608.2 申请日: 2007-06-19
公开(公告)号: CN101075541A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 李玉魁 申请(专利权)人: 中原工学院
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00
代理公司: 郑州科维专利代理有限公司 代理人: 张欣棠;张国文
地址: 451191河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 箭头 型栅控 阴极 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺
【说明书】:

技术领域

发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种箭头型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径以及高的纵横比率,在外加电压的作用下不需要额外的能量就能够发射出大量的电子,因此具有非常良好的场致发射性能,可以作为电子源应用于场致发射显示器件。利用碳纳米管作为阴极材料而制作的场致发射显示器,充分利用了碳纳米管的低导通电场、高发射电流密度以及高稳定性,再加之结合传统阴极射线管显示器所具有的高图像质量,形成了一种新型的平板显示设备。这种显示器具有高亮度、高分辨率、低能耗,低成本等特点,已经成为了国际平板显示领域的热门话题。

在三极结构的场致发射平板显示器件当中,栅极结构控制着碳纳米管阴极的电子发射。而进一步降低栅极结构的工作电压也是众多科研人员不懈努力的目标之一,这也符合低压平板器件的质量体系指标要求。目前大多数的显示器中都采用了栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的控制模式,其主要优点是制作工艺简单,控制作用显著,其主要不利之处就是栅极电流过大,栅极电压居高不下,还需要进一步的加以改进。一方面需要尽可能的缩减栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的距离,另一方面也可以对碳纳米管阴极结构作以改变,使得碳纳米管阴极形状的曲率变得更小,能够在较低的电压下就发射出大量的电子,这也是间接的降低了器件的工作电压。此外,还需要确保尽可能多的碳纳米管阴极来参与电子发射,有助于提高器件的显示亮度。那么,在实际器件的制作过程中,就需要科研人员和实际制作人员共同努力,来解决这些所面临的实际问题。

此外,在三极结构的平板场致发射显示器件当中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的箭头型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件,在阴极玻璃面板上设置有阴极导电层、碳纳米管以及箭头型栅控阴极结构。

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