[发明专利]树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法无效
申请号: | 200710052721.7 | 申请日: | 2007-07-12 |
公开(公告)号: | CN101121504A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 郑直;李大鹏;水正阳;龙明强;黄保军;赵红晓;杨风岭;张礼之 | 申请(专利权)人: | 许昌学院 |
主分类号: | C01B19/02 | 分类号: | C01B19/02;C01G5/00;B82B3/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 张安国 |
地址: | 461000河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 树枝 状硒化银 纳米 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种硒化银纳米晶材料,其特征在于:该材料为具有金属银表面的基底材料上原位制得的树枝状硒化银纳米晶组成的薄膜材料。
2.权利要求1所述的硒化银纳米晶材料的制备方法,其特征在于:制备方法是把具有金属银表面的基底材料,单质硒粉,以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中,在120℃-180℃温度下直接反应3-12小时,在基底材料的金属银表面原位制得具有树枝状结构的硒化银纳米晶组成的薄膜材料,反应结束后,自然冷却至室温,最后产物用无水乙醇清洗,50℃以下干燥,
所述的具有金属银表面的基底材料是指金属银箔片、表面镀了一层纳米金属银的半导体硅、表面镀了一层纳米金属银的导电玻璃ITO;所述的有机醇溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、十二醇和苯甲醇。
3.根据权利要求2所述的硒化银纳米晶材料的制备方法,其特征在于:在半导体硅、导电玻璃ITO材料表面镀一层纳米金属银薄膜的方法包括电镀、离子溅射、气相沉积、电化学沉积、银镜反应。
4.根据权利要求1所述的硒化银纳米晶材料的制备方法,其特征在于:反应物中单质硒粉的浓度为0.0007-0.007克硒/毫升有机醇溶剂。
5.根据权利要求2所述的硒化银纳米晶材料的制备方法,其特征在于:具有金属银表面的基底材料,单质硒粉,以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中,置于有程序升温功能的马弗炉或台式干燥箱中,在120℃-180℃温度下直接反应3-12小时,马弗炉或台式干燥箱升温速率为2-10℃/分钟。
6.根据权利要求5所述的硒化银纳米晶材料的制备方法,其特征是反应结束后,关闭电源让反应釜在马弗炉或干燥箱中冷却至室温,或将反应釜取出放于空气中自然冷却至室温。
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