[发明专利]静电驱动的焦点可变微平面镜及其制造方法无效
申请号: | 200710046921.1 | 申请日: | 2007-10-11 |
公开(公告)号: | CN101135772A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 李以贵;张俊峰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G02B26/10 | 分类号: | G02B26/10;G03F7/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 驱动 焦点 可变 平面镜 及其 制造 方法 | ||
1.一种静电驱动的焦点可变微平面镜,包括:底座、底座上固定的环形电极、Si基板、可动电极和微平面镜镜面,其特征在于,环形电极与可动电极通过Si-Au共晶合金键合并形成一个为可动电极提供形变空间的气隙,可动电极与Si基板相连,当固定的环形电极和可动电极之间施加电压时,产生的法向静电力驱动可动电极向下面的环形电极方向运动形成一个凹面,微平面镜镜面设置在可动电极上。
2.根据权利要求1所述的静电驱动的焦点可变微平面镜,其特征是,所述凹面,其焦点通过外加电压的大小调节。
3.一种静电驱动的焦点可变微平面镜制造方法,其特征是,具体包括如下步骤:
①平面镜部分的制作工艺;
②底座部分的制作工艺;
③环形电极与可动电极的Si-Au共晶合金键合;
所述平面镜部分的制作工艺为:首先,准备好用于光刻处理的掩模板,利用UV光刻与显影技术将设计好的结构图案迁移在掩模板的SOI晶片表面,其次,用感应耦合反应离子刻蚀工艺对晶片中的厚硅进行刻蚀,然后,对SOI中二氧化硅的刻蚀,接着,用感应耦合反应离子刻蚀工艺对晶片中的结构硅层进行刻蚀,最后再进行平面镜镜面Al的蒸镀,形成可动电极;
所述底座部分的制作工艺为:首先,准备好用于光刻处理的掩模板,利用UV光刻与显影技术将设计好的结构图案迁移在掩模板的SOI晶片表面,其次,用感应耦合反应离子刻蚀工艺刻蚀至18um处的SiO2层,接着同样利用Al的蒸镀工艺在底座中央形成环形电极;
所述环形电极与可动电极的Si-Au共晶合金键合:将加工好的环形电极与可动电极通过Si-Au共晶合金键合形成静电驱动的焦点可变微平面镜。
4.根据权利要求3所述的静电驱动的焦点可变微平面镜的制造方法,其特征是,所述平面镜部分的制作工艺中的掩模板,其镜面结构是由在一个自上而下为Si衬底,SiO2层和结构层的SOI晶片材料上加工的。
5.根据权利要求3所述的静电驱动的焦点可变微平面镜的制造方法,其特征是,所述底座部分的制作工艺中的掩模板,其底座是由在一个自上而下为结构层、SiO2层和Si衬底的SOI晶片材料上加工的。
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