[发明专利]单端、前边沿触发-准同步时钟发生器无效
申请号: | 200710046023.6 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101286732A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 陈耀华 | 申请(专利权)人: | 上海富士施乐有限公司 |
主分类号: | H03K3/027 | 分类号: | H03K3/027;G09G5/00;G09G5/18 |
代理公司: | 上海智力专利商标事务所 | 代理人: | 瞿承达 |
地址: | 200245*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边沿 触发 同步 时钟发生器 | ||
技术领域
本发明涉及一种单端、前边沿触发-准同步时钟发生器,属于微电子控制技术领域。
背景技术
ROS(Raster Output Scanner)装置中,当激光束经过原点定位传感器时,就形成一个SOS行同步信号;SOS行同步信号通常是一负脉冲,宽度可变,前边沿定位。经过若干个VIDEO时钟周期的延迟,图像控制器开始输出图像光栅点;鉴于上述SOS事件与VIDEO时钟的首个上升沿时刻之间的时间间隔是一个随机值,这种不确定的、小于一个VIDEO时钟周期的波动称作Jitter。Jitter的存在使得光栅的起始位置不一致而导致输出图像的扭曲。
为了控制ROS输出图像的质量,作为一项重要的指标,设计人员通常采用将视频(VIDEO)时钟频率升高至实际使用频率的N倍的方案,使得Jitter值减小至原来的1/N。
发明内容
本发明的目的在于提出一种单端、前边沿触发-准同步时钟发生器,该时钟发生器,通常是在ASIC或FPGA芯片中实现的,或使用专用IC产生上述同步时钟。
为达到上述目的,本发明的技术方案是:使用晶体振荡器、施密特反相器、与非门、D型触发器;对这些元器件频率特性的要求取决于输出频率值及分频比N。
施密特反相器U5对输入触发信号实施整形;D型触发器U1、U2,和与非门U6共同产生同步信号;D型触发器U3、U4构成N=4的同步分频器。
通过选择分频比N,可以使得Jitter值减小至1/N输出频率周期;本发明取N=4,Δt<T/4.输出频率的占空比:50%;同步条件仅与触发信号B的前边沿有关,而与触发信号B的宽度无关;限制条件:触发信号B的宽度必须大于一个输入时钟周期(T/N);
本发明的有益效果:开发了单端、前边沿触发-准同步时钟发生器,该项技术的应用灵活性提高了,采用同步控制结构,电路简洁、合理、稳定、可靠、成本低;具备最少的应用限制条件,可以推荐给“晶体振荡器”生产企业:将控制电路集成到“晶体振荡器”(Crystal Oscillator)的封装内,以形成“单端、前边沿触发-准同步时钟发生器”的产品系列。
以下结合附图和实施例对本发明作比较详细地说明。
附图说明
图1为本发明的一种单端、前边沿触发-准同步时钟发生器工作波形图。
图2为本发明的一种单端、前边沿触发-准同步时钟发生器的电气原理图。
具体实施方式
参照图1,这是本发明的一种单端、前边沿触发-准同步时钟发生器工作波形图。
波形观测点A:输入时钟信号;在本案例中,它的频率被设置成输出频率的4倍;波形观测点B:输入触发信号,用于同步输出信号。通常ROS中激光束扫过原点时由定位传感器产生。波形的下降沿用于定位;波形的上升沿较差;波形观测点C:经过施密特反相器整形后的波形;整形的目的为防止不良的波形边沿造成错误的逻辑动作;波形观测点F:当波形C上升至高电平后的第一个波形A的上升沿将F点置高;C与F的上升沿之间的时间差小于、等于一个输入时钟周期;波形观测点G:滞后F一个输入时钟周期;波形观测点D:由F、G合成而成;该负脉冲的宽度为一个输入时钟周期,且上升下降沿均受输入时钟同步。D波形的负脉冲使得由U3、U4构成的N=4同步分频器清零,达到同步之目的;波形观测点E:频率输出端;频率为输入频率的1/4。波形观测点H:辅助逻辑变量。
参照图2,这是本发明的一种单端、前边沿触发-准同步时钟发生器的电气原理图。
1.施密特反相器U5对输入触发信号实施整形;
2.D型触发器U1、U2,和与非门U6共同产生同步信号;
3.D型触发器U3、U4构成N=4的同步分频器。
本发明的技术特点:
1),通过选择分频比N,可以使得Jitter值减小至1/N输出频率周期;本发明取N=4,Δt<T/4;
2),输出频率的占空比:50%;
3),同步条件仅与触发信号B的前边沿有关,而与触发信号B的宽度无关;
4),限制条件:触发信号B的宽度必须大于一个输入时钟周期(T/N);
虽然本发明已参照上述的实施例来描述,但是本技术领域中的普通技术人员,应当认识到以上的实施例仅是用来说明本发明,应理解其中可作各种变化和修改而在广义上没有脱离本发明,所以并非作为对本发明的限定,只要在本发明的实质精神范围内,对以上所述的实施例的变化、变形都将落入本发明权利要求的保护范围。
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