[发明专利]层间粘附力的检测方法及检测试片制作方法

权利要求书

1.一种层间粘附力的检测方法，其特征在于，包括步骤：

提供待检测试片，且所述待检测试片上具有第一薄膜和第二薄膜；

确定所述待检测试片的应力状态；

根据待测试片的应力状态，确定要生长的第三薄膜的工艺条件；

在所述待检测试片上生长第三薄膜；

形成检测试片，且所述检测试片处于张应力状态；

利用四点弯曲法检测所述第一薄膜和第二薄膜间的粘附力。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述第三薄膜包括氧化硅层。

3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述第三薄膜包括含氟氧化硅层。

4.如权利要求1、2或3所述的检测方法，其特征在于：所述第三薄膜的厚度在2000至8000之间。

5.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述工艺条件包括工艺时间、反应气体的种类及流量。

6.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述第一薄膜和第二薄膜分别包括金属层、介质层或半导体层中的任一种。

7.如权利要求6所述的检测方法，其特征在于：所述第二薄膜包括掺碳的氮化硅层。

8.如权利要求1或5所述的检测方法，其特征在于：所述待检测试片的衬底与所述第一薄膜之间，还具有一层缓冲层。

9.如权利要求8所述的检测方法，其特征在于：所述缓冲层包括氧化硅层。

10.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述张应力的大小在0至50MPa之间。

11.一种层间粘附力的检测试片制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供待检测试片，且所述待检测试片上具有第一薄膜和第二薄膜；

确定所述待检测试片的应力状态；

根据待测试片的应力状态，确定要生长的第三薄膜的工艺条件；

在所述待检测试片上生长第三薄膜；

将所述待检测试片上的第三薄膜与衬底粘在一起，形成检测试片，且所述检测试片处于张应力状态。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述第三薄膜包括氧化硅层。

13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述第三薄膜包括含氟氧化硅层。

14.如权利要求11、12或13所述的制作方法，其特征在于：所述第三薄膜的厚度在2000至8000之间。

15.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述工艺条件包括工艺时间、反应气体的种类及流量。

16.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述第一薄膜和第二薄膜分别包括金属层、介质层或半导体层中的任一种。

17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于：所述第二薄膜包括掺碳的氮化硅层。

18.如权利要求11或15所述的制作方法，其特征在于：所述待检测试片的衬底与所述第一薄膜之间，还具有一层缓冲层。

19.如权利要求18所述的制作方法，其特征在于：所述缓冲层包括氧化硅层。

20.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述张应力的大小在0至50MPa之间。