[发明专利]凸点光刻机的曝光方法

权利要求书

1.一种凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)获取前道工序晶圆片信息及曝光场数据；

(2)进行覆盖式优化图形规划，将若干个前道曝光场合并扩大成新的后道曝光场；

(3)在所述覆盖式优化图形规划的基础上，对曝光场分布中后道曝光场进行曝光路径规划和批处理流程规划，其中曝光路径规划是指对后道曝光场进行曝光路径的规划，包括改良式标准路径和采用最小步进成本旅行商LCBB算法确定的优化路径的规划；批处理流程规划则是在批处理过程中灵活控制掩模图形的曝光次序，如果在批处理奇次晶圆片时，先曝光较大尺寸的曝光场，再曝光小尺寸的曝光场的话，那么在批处理偶次晶圆片时，就倒过来先曝光小尺寸的曝光场，再曝光大尺寸的曝光场，从而在批处理这两张晶圆片的过程中用于切换掩模图形的时间减少了一半，

其中，所述覆盖式优化图形规划包括以下步骤：

根据前道曝光场分布数据，构造前道曝光场原始分布；

对前道曝光场进行状态判断；

根据前道曝光场计算出后道曝光场的宽高，以及后道曝光场中含有前道曝光场的个数；

通过位置坐标的矩阵转换将前道曝光场位置转换为后道曝光场位置；

对后道曝光场进行状态判断；

根据曝光模式对获取的后道曝光场分布进行筛选，输出图形规划结果。

2.如权利要求1所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述后道曝光场的状态为内场、交接场或外场。

3.如权利要求2所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，判断所述后道曝光场状态的步骤为：

将中心光斑的中心与待测曝光场中心重合；

判断光斑与硅片可测区域边界的位置关系，3个或3个以上光斑完全位于可测区域边界以内则该曝光场为内场；至少有1个光斑完全位于可测区域边界之内为交接场；如果没有1个光斑处于可测区域边界之内则为外场。

4.如权利要求2所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述曝光模式包括全场曝光模式与标准曝光模式，全场曝光模式下，在批处理时以大尺寸曝光场图形进行曝光；标准曝光模式下，在批处理时以获得最多的内场大尺寸曝光场和最少曝光次数为目的进行曝光。

5.如权利要求1所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述覆盖式优化法图形规划步骤输出具有不同尺寸曝光场分布特征或内外及边缘场分布特征。

6.如权利要求1所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述方法后道图形分布的曝光场包含一个或多个前道曝光场，或者后道晶圆片具有不同尺寸的曝光场分布。

7.如权利要求1所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述后道曝光场与前道曝光场之间存在的多种位置关系与后道曝光场宽高，根据以下公式计算：

Nx＝取整[掩模图形最大宽度/前道曝光场宽度]，

Ny＝取整[掩模图形最大高度/前道曝光场高度]，

后道曝光场宽：Sn_width＝Nx*前道曝光场宽度，

后道曝光场高：Sn_height＝Ny*前道曝光场高度。

后道曝光场中含有前道曝光场的个数Nraw＝Nx*Ny，

则所述后道曝光场与前道曝光场之间存在的多种位置关系有Nraw种。

8.如权利要求7所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述位置坐标的矩阵转换计算公式为：

当A＞＝0时，取整；

当A＜0时，取整，

其中：

A表示前道曝光场的分布矩阵，矩阵中存放的是x向和y向上每个可用的曝光场的列号和行号，

B表示后道曝光场的分布矩阵，矩阵中存放的是x向和y向上每个可用的曝光场的列号和行号，

N表示后道曝光场中包含的前道曝光场的个数Nraw，

R表示前道中心曝光场在后道曝光场中的位置关系，最左下角作为(0，0)起始位置。

9.如权利要求1所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述曝光路径规划的输入为第一个曝光场临近坐标或者是第一个曝光场所在的象限。

10.如权利要求1所述的凸点光刻机的曝光方法，其特征在于，所述曝光路径规划输出为S形或具有规则折线形式的曝光路径。