[发明专利]CMOS驱动电路有效
申请号: | 200710040244.2 | 申请日: | 2007-04-24 |
公开(公告)号: | CN101295975A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 林庆龙;丁建国 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H03K19/00 | 分类号: | H03K19/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 驱动 电路 | ||
1.一种CMOS驱动电路,其特征在于,包括:
第一直流输入端,用于输入第一直流输入电压;
第二直流输入端,用于输入第二直流输入电压;
第一多级缓冲级,与第一直流输入端相连,所述第一多级缓冲级包括至少一级缓冲级,用于逐级放大输出电流;
第二多级缓冲级,与第二直流输入端相连,所述第二多级缓冲级包括至少一级缓冲级,用于逐级放大输出电流;
输出缓冲级,所述输出缓冲级包括:
比较器,用于比较第一、第二直流输入电压的大小;
第一转换电路,当第一直流输入电压大于第二直流输入电压时,所述第一转换电路根据第一多级缓冲级的末级输出的时序信号将第一直流输入电压转换成调制驱动电压并通过CMOS驱动电路的输出端输出;
第二转换电路,当第二直流输入电压大于第一直流输入电压时,所述第二转换电路根据第二多级缓冲级的末级输出的时序信号将第二直流输入电压转换成调制驱动电压并通过CMOS驱动电路的输出端输出;
所述第一转换电路包括:
第一PMOS晶体管,体电极与第一直流输入端相连;
第一晶体管开关,由PMOS晶体管构成,所述第一晶体管开关与第一PMOS晶体管串联并引出两端,一端与第一直流输入端相连、另一端作为CMOS驱动电路的输出端,第一晶体管开关的体电极与CMOS驱动电路的输出端或者第二直流输入端相连;
第一NMOS晶体管,漏极与CMOS驱动电路的输出端相连,体电极与源极相连并接地;
所述第二转换电路包括:
第二PMOS晶体管,体电极与第二直流输入端相连;
第二晶体管开关,由PMOS晶体管构成,所述第二晶体管开关与第二PMOS晶体管串联并引出两端,一端与第二直流输入端相连、另一端作为CMOS驱动电路的输出端;
当第一晶体管开关的体电极与CMOS驱动电路的输出端相连时,第二晶体管开关的体电极与CMOS驱动电路的输出端相连;当第一晶体管开关的体电极与第二直流输入端相连时,第二晶体管开关的体电极与第一直流输入端相连;
第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管漏极与CMOS驱动电路的输出端相连、体电极与源极相连并接地;
当第一直流输入电压高于第二直流输入电压时,第一转换电路的第一晶体管开关输入比较器输出的比较信号使第一晶体管开关导通,第二转换电路的第二晶体管开关断开,第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极输入第一多级缓冲级的末级输出的第一时序信号,第二PMOS晶体管的栅极输入第二直流输入电压、第二NMOS晶体管的栅极输入零电位;
当第二直流输入电压高于第一直流输入电压时,第一转换电路的第一晶体管开关输入比较器输出的比较信号使第一晶体管开关断开,第二转换电路的第二晶体管开关导通,第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极输入第二多级缓冲级的末级输出的第二时序信号,第一PMOS晶体管的栅极输入第一直流输入电压、第一NMOS晶体管的栅极输入零电位。
2.根据权利要求1所述的CMOS驱动电路,其特征在于,所述输出缓冲级还包括第一、第二侦测电路,第一侦测电路输入第一直流输入电压、产生第一电压,第二侦测电路输入第二直流输入电压、产生第二电压。
3.根据权利要求2所述的CMOS驱动电路,其特征在于,所述比较器输入端同时输入第一、第二电压,输出端与第一晶体管开关的栅极和反相器的输入端相连,反相器的输出端与第二晶体管开关的栅极相连。
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