[发明专利]霍尔效应电路的温度补偿方法及其电路

权利要求书

1、一种霍尔效应电路的温度补偿方法，其特征在于：将与霍尔迁移率的温度系数变化成正比关系相互跟随的正温度系数电压调节器作为霍尔效应电路的偏置电压。

2、根据权利要求1所述的霍尔效应电路的温度补偿方法，其特征在于它包括如下步骤：

a.测试霍尔元件材料的霍耳迁移率和温度系数，霍尔迁移率为：

μ_H(T)＝μ_H(T₀)/(1+α×ΔT)(4)

式(4)中μ_H(T₀)表示参考温度(一般指室温25℃)下的霍耳迁移率，α代表霍尔迁移率的温度系数，ΔT＝T-T₀；

b.根据霍尔效应电路中其它单元电路要求设置一不随电源电压变化，而随着温度的变化遵循下述式(5)的参考电压：

V_a(T)＝[V_a(T₀)](1+α×ΔT)(5)

式(5)中V_a(T₀)表示参考温度(一般指室温25℃)下加在霍尔片上的参考电压值，α代表霍耳迁移率的温度系数；

c.将上述步骤b中具有参考电压特性的正温度系数电压调节器作为霍尔效应电路的偏置电压。

3、上述霍尔效应电路的温度补偿方法所涉及的电路，包括电源保护器(200)、内部电路电源(201)、霍尔电压生成单元(202)、霍尔电压放大单元(203)、施密特触发器(204)、输出驱动器(205)，其特征在于：一正温度系数温度电压调节器(补偿单元)(206)连接在内部电路电源(201)上，用于给其他电路单元供电。

4、根据权利要求3所述的电路，其特征在于：所述的正温度系数温度电压调节器包括正温度系数电流源(301)、可调电阻(302)、以及可产生负温度系数的NPN晶体管(304)构成，该NPN晶体管基极与集电极相连接，发射极接在地线(305)上，正温度系数电流源(301)与可调电阻(302)串连连接后，与NPN晶体管基极与集电极的公共端相连接。