[发明专利]连续逆压印图型直接转移式制造图案化磁记录介质的方法无效
申请号: | 200710018124.2 | 申请日: | 2007-06-26 |
公开(公告)号: | CN101075443A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 刘红忠;丁玉成;秦歌;卢秉恒 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;H01L21/302;B29D17/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 压印 直接 转移 制造 图案 记录 介质 方法 | ||
1、一种采用连续图型直接转移制造图案化磁记录介质的方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一,首先在基底上沉积一层导电金属过渡薄膜层,该导电金属过渡薄膜层作为后继电镀工序所需的导电电极;
步骤二,将已有的图型化圆柱形模具浸入防粘剂中进行防粘处理,取出后进行干燥,所述的防粘剂是烷基三氯硅烷甲苯溶液;
步骤三,然后进行逆压印图型连续直接转移,用已有的图型化圆柱形模具,沾取适量的光刻胶,当圆柱形压印模具凸面上的光刻胶旋转到与基底上的导电金属过渡薄膜层接触时,光刻胶被粘附到基底的导电金属过渡薄膜层表面上;经紫外光固化后,光刻胶在基底的导电金属过渡薄膜层表面上形成图型化掩蔽层;
步骤四,在光刻胶的非掩蔽区,以导电金属过渡薄膜层为电镀的一个电极,以图型化的光刻胶为掩蔽层,在非掩蔽区的导电金属过渡薄膜层上生长磁性介质层;
步骤五,将电镀后的图型进行等离子刻蚀,使光刻胶和磁性介质层的图型平坦化,即得到由非磁性材料填充图型间隔的图案化磁记录介质。
2、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的基底材料是刚性基材或者是柔性基材。
3、如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述的刚性基材是金属铝或者玻璃,所述的柔性基材是连续的柔性聚碳酸酯板。
4、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的圆柱形压印模具的材质是刚性材料或者是弹性材料。
5、如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述的刚性材料是金属Ni或金属Cu。
6、如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述的弹性材料是聚二甲基硅氧烷。
7、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤四中的磁性介质层的材料是CoPt、FePt、CoPd、FePd、Co(n)Pt(m)或者Fe(n)Pt(m)合金。
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