[发明专利]用于在存储装置中再分配可寻址空间的方法和设备

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求于2006年10月19日提交的韩国专利申请No.10-2006-0101644的优先权，在此通过参考合并其整个公开。

技术领域

本发明涉及集成电路系统，更具体地说，涉及控制存储装置的处理器和操作存储装置的方法。

背景技术

诸如闪速EEPROM装置之类的非易失存储装置具有使得它们适于在低功率应用中使用的许多优良特性。这些低功率应用包括诸如数字照相机、MP3音乐播放机、蜂窝电话、存储器卡和个人数字助理(PDA)之类的移动装置应用。

如本领域普通技术人员所理解的，在用于对闪速EEPROM装置进行编程的操作之前通常自动进行擦除操作(例如，块擦除)，其在该装置中准备EEPROM单元以接受新的程序数据。因此，在用于对在EEPROM装置内的一块单元进行编程的操作之前进行用于擦除该块单元的操作以在这些单元内达到“复位”阈值电压条件的操作是普遍的。不幸的是，对一块EEPROM单元执行相对大量的擦除操作可能导致在一个或多个EEPROM单元内产生“阈值-电压(threshold-voltage)”缺陷从而缩短EEROPM装置的有效寿命。

为了应对响应于在EEPROM装置上所执行的“块”擦除操作的数量增加可能发生的EEPROM单元缺陷的数量增加，许多EEPROM装置被配置为具有EERPOM单元的一个或多个保留存储器块，它们作为用于EEPROM单元的其他有效存储器块的“冗余”存储器块操作，所述其他有效存储器块在正常使用期间经历多次写、读和擦除操作。可以用对应的被保留存储器块来代替在EEPROM装置的使用期间变为有缺陷的多个有效存储器块的每一个。然而，一旦已经使用了所有可用的保留存储器块来代替相应的有效存储器块，则在随后的擦除和编程操作期间在EEPROM装置内检测到任何进一步的缺陷可能会导致装置故障。

为了减少在一个或多个有效存储器块上所执行的过量擦除/编程操作所导致的EEPROM装置故障的可能性，已经开发了技术以在所有有效存储器块的范围上相对均匀地分布擦除/编程操作。这些技术可能使用闪速转换层(flashtranslation layer，FTL)技术来支持擦除/编程操作的相对均匀分布。但是，因为许多有效存储器块可能具有对擦除/编程操作所导致的缺陷的不同敏感度(susceptibility)，所以用于在多个有效存储器块的范围上相对均匀地分布擦除/编程操作的技术可能在实现相对长的装置寿命方面不能完全成功。

发明内容

本发明的实施方式包括其中具有非易失存储装置和存储器处理电路的集成电路。典型的非易失存储装置包括闪速EEPROM装置。将存储器处理电路电耦合到非易失存储装置。将存储器处理电路配置来在非易失存储装置内再分配可寻址的空间。响应于所述存储器处理电路所接收到的容量调整命令，通过在非易失存储装置内增加被保留作为冗余存储器地址的物理地址的数量来执行这种再分配。

根据这些实施方式中的一些，存储器处理电路包括地址变换表。将该地址变换表配置为响应于所述存储器处理电路所接收到的逻辑地址来产生映射到所述非易失存储装置的物理地址。将所述存储器处理电路进一步配置为在非易失存储装置内读取存储器分配区域，以确定该非易失存储装置内有效存储器区域和/或保留存储器区域的容量。还响应于所述存储器处理电路所接收到的容量调整命令来执行该读取操作。此外，将所述存储器处理电路配置为响应于所述容量调整命令，将数据写到所述非易失存储装置内的存储器分配区域。以这种方式，所述存储器处理电路可以执行操作来读取所述存储器分配区域以确定非易失存储装置内有效存储器块和保留存储器块之间的首次分配，然后用非易失存储装置内的有效存储器块和保留存储器块之间的经修改的分配来写存储器分配区域。

根据本发明的再一种实施方式，用其中至少具有有效存储器区域和保留存储器区域的非易失存储装置和存储器处理电路来配置所述集成电路系统。将所述存储器处理电路配置为响应于所述存储器处理电路所接收到的容量调节命令来调节有效和保留存储器区域的容量。将所述存储器处理电路配置为在调整有效和保留存储器区域的容量之前，读取该集成电路系统内的存储器分配区域，以确定有效和保留存储器区域的容量。这种存储器处理电路可以包括地址变换表，将该表配置为响应于所述存储器处理电路所接收到的逻辑地址来产生物理地址。这些物理地址映射到所述非易失存储装置。所述存储器处理电路还包括地址变换表。将该表配置为产生映射到非易失存储装置的物理地址。

附图说明