[发明专利]光或放射线摄像装置无效

专利信息
申请号: 200680055205.3 申请日: 2006-07-27
公开(公告)号: CN101480043A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 足立晋 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335;G01T1/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 放射线 摄像 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在医疗领域或非损坏检查、RI(放射性同位素:RadioIsotope)检查、以及光学检查等产业领域等中使用的光或放射显摄像装置,特别是涉及读出来自对光或放射线进行检测的检测元件的电荷信号的技术。 

背景技术

以往,根据已检测出的光或放射线进行摄像的摄像装置,具有对光或放射线进行检测的光或放射线检测器。在这里,以X射线检测器为例进行说明。X射线检测器具有X射线感应型的X射线变换层(X射线变换膜),通过X射线的入射而X射线变换层变换成载流子(电荷信号),读出该已被变换的电荷信号来检测X射线。例如,X射线检测器具有以下部件等,即:多个X射线检测元件,其排列成纵横的二维矩阵状且将入射的X射线变换成电荷信号;电荷检测放大电路(CSA:Charge SensitiveAmplifier),其将由X射线变换元件变换的电荷信号变换成电压信号;信号放大电路,其对来自电荷检测放大电路的电压信号进行放大;采样保持电路,其对从信号放大电路输出的电压信号进行采样并保持(hold)该被采样的电压信号,向A/D变换器输出。 

进而,X射线检测元件还具有以下部件等,即:收集电极,其通过从共用电极施加偏压而收集由X射线变换层变换的电荷信号;电容器,其蓄积由收集电极收集的电荷信号;作为开关元件的薄膜晶体管(TFT:ThinFilm Transistor);栅线,其用在由栅极驱动器对薄膜晶体管进行控制中;数据线,其从薄膜晶体管读出电荷信号。 

在这里,在向检查对象M照射X射线进行X射线摄像的情况下,已透过检查对象M的X射线像被投影到非晶体硒膜上,在膜内产生与像的浓淡成比例的电荷信号。随后,在膜内生成的电荷信号由载流子收集电极 收集,利用电容器蓄积由该收集电极收集的电荷信号。进而,由该电容器蓄积的电荷信号通过由薄膜晶体管(TFT)进行的开关动作而被输出给电荷检测放大电路。 

在这样的构成中,由X射线检测器的电容器蓄积的电荷信号,通过基于薄膜晶体管的开关动作而被输出给电荷检测放大电路,但即便该薄膜晶体管为OFF状态,该OFF状态也不完全,电荷信号从电容器会有若干漏泄(漏泄电流)。进而,如果在从薄膜晶体管读出电荷信号的数据线上连接有多个检测元件,则对应于该检测元件的数量而电荷信号的漏泄也会增加,对画质的影响增大。即存在如下所述的问题:由于该电荷信号的漏泄,发生假象(artifact),导致画质劣化。为了解决该问题,首先,通过来自栅极驱动器的控制顺次使与各栅线连接的所有检测元件的薄膜晶体管为ON状态,收集包括漏泄电流的来自所有检测元件的数据(电荷信号)。随后,收集相当于漏泄电流的来自所有检测元件的数据(电荷信号),从包括漏泄电流的来自所有检测元件的电荷信号减去仅为漏泄电流部分的电荷信号,由此使来自电容器的电荷信号的漏泄的影响减轻(例如,参照专利文献1、2)。 

专利文献1:特开2004-23750号公报 

专利文献2:特开2003-319264号公报 

不过,关于以往的光或放射线摄像装置,存在如下所述的问题。即,通过来自栅极驱动器的控制,顺次使与各栅线连接的所有检测元件的薄膜晶体管为ON状态,收集包括漏泄电流的来自所有检测元件的数据(电荷信号)。然后,收集相当于漏泄电流的来自所有检测元件的数据(电荷信号),从包括漏泄电流的来自所有检测元件的电荷信号减去仅为漏泄电流部分的电荷信号。在这样的情况下,存在格外需要用于收集相当于漏泄电流的来自所有检测元件的数据(电荷信号)的时间,摄像时间延长的问题。 

发明内容

本发明正是鉴于上述的情况而完成的发明,其目的在于,提供一种使由在X射线检测器的检测元件中蓄积的电荷信号的漏泄(漏泄电流)导致的画质的劣化减轻、且可以防止摄像时间延长的光或放射线摄像装置。 

本发明为了实现这样的目的,采用如下所示的构成。 

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