[发明专利]硬质涂膜的脱膜方法

权利要求书

1.从硬质涂膜涂覆部件(12)的本体(20)上将硬质涂膜(30)脱膜的方法，所述本体的表面上涂覆有元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物形成的硬质涂膜或它们的相互固溶体形成的硬质涂膜，通过对所述硬质涂膜照射离子束进行蚀刻，将该硬质涂膜从所述本体脱膜，其特征在于，

对所述硬质涂膜(30)照射将惰性气体作为工作气体生成的离子束进行蚀刻，所述蚀刻包括：

对所述硬质涂膜(30)照射将第一惰性气体作为工作气体生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第一蚀刻工序；和

对所述硬质涂膜(30)照射将所述工作气体切换为原子量比所述第一惰性气体小的第二惰性气体后生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第二蚀刻工序；

其中，

在所述第一蚀刻工序中，使用氡、氙、及氪中的任一种气体作为所述工作气体，

在所述第二蚀刻工序中，使用氩气作为所述工作气体。

2.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述本体(20)由超硬合金制成。

3.如权利要求1或2所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述硬质涂膜涂覆部件(12)为至少在加工部(24)涂覆有所述硬质涂膜(30)的硬质涂膜涂覆加工工具。

4.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱模的方法，其中，在通过离子束进行蚀刻的过程中，离子束发射部件(32a，32b)与所述硬质涂膜涂覆部件(12)相对移动。

5.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，在所述硬质涂膜脱膜的最终阶段进行离子束蚀刻。

6.如权利要求1所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述硬质涂膜(30)的厚度为1μm至5μm。

7.如权利要求2所述的将硬质涂膜脱膜的方法，其中，所述本体(20)的表面被粗面化处理或形成其它涂膜作为基底。

8.从硬质涂膜涂覆部件(12)的本体(20)上将硬质涂膜(30)脱膜的方法，所述本体的表面上涂覆有元素周期表的IIIb族、IVa族、Va族或VIa族的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物形成的硬质涂膜或它们的相互固溶体形成的硬质涂膜，通过对所述硬质涂膜照射离子束进行蚀刻，将该硬质涂膜从所述本体脱膜，其特征在于，

对所述硬质涂膜(30)照射将惰性气体作为工作气体生成的离子束进行蚀刻，所述蚀刻包括：

对所述硬质涂膜(30)照射将第一惰性气体作为工作气体生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第一蚀刻工序；和

对所述硬质涂膜(30)照射将所述工作气体切换为原子量比所述第一惰性气体小的第二惰性气体后生成的离子束，从而对所述硬质涂膜(30)进行蚀刻的第二蚀刻工序；

其中，所述第一蚀刻工序使用氙气，所述第二蚀刻工序使用氪气。