[发明专利]间歇－连续蚀刻

权利要求书

1.一种经由蚀刻系统对样品进行蚀刻的方法，所述蚀刻系统具有蚀刻气体源、在其内对样品进行蚀刻的主腔、第一膨胀腔、第二膨胀腔、以及用于将每个膨胀腔连接到所述主腔和所述蚀刻气体源的器件，所述方法包括：

(a)控制用于连接的所述器件，以使所述第一膨胀腔充有适当量的、来自于所述蚀刻气体源的蚀刻气体，以维持恒定的蚀刻气体流流向所述主腔，并且所述第一膨胀腔一旦充有所述适当量的蚀刻气体，则与所述蚀刻气体源隔断；

(b)控制用于连接的所述器件，以将已充气的所述第一膨胀腔连接到所述主腔，从而使所述第一膨胀腔中的蚀刻气体的充气流向所述主腔，以使所述第一膨胀腔内部的蚀刻气体的压力降低；

(c)当所述第一膨胀腔中的蚀刻气体流向所述主腔时，控制用于连接的所述器件，从而使所述第二膨胀腔充有适当量的、来自于所述蚀刻气体源的蚀刻气体，以维持恒定的蚀刻气体流流向所述主腔，并且所述第二膨胀腔一旦充有所述适当量的蚀刻气体，则与所述蚀刻气体源隔断；

(d)在步骤(c)之后，控制用于连接的所述器件，从而在所述第一膨胀腔内的蚀刻气体的压力下降到低于足够维持恒定的蚀刻气体流流向所述主腔的水平之前，将所述第一膨胀腔与所述主腔隔断，并且将所述第二膨胀腔与所述主腔连接；

(e)在步骤(d)之后，当所述第二膨胀腔中的蚀刻气体流向所述主腔时，控制用于连接的所述器件，从而使所述第一膨胀腔充有适当量的、来自于所述蚀刻气体源的蚀刻气体，以维持恒定的蚀刻气体流流向所述主腔，并且所述第一膨胀腔一旦充有所述适当量的蚀刻气体，则与所述蚀刻气体源隔断；及

(f)在步骤(e)之后，控制用于连接的所述器件，从而在所述第二膨胀腔内的蚀刻气体的压力下降到低于足够维持恒定的蚀刻气体流流向所述主腔的水平之前，将所述第二膨胀腔与所述主腔隔断，并且将所述第一膨胀腔与所述主腔连接。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括重复步骤(c)-(f)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(d)和(f)中，控制用于连接的所述器件，以将所述第一膨胀腔和第二膨胀腔同时连接到所述主腔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述蚀刻系统包括防止器件，其用于在所述第一膨胀腔和第二膨胀腔同时连接到所述主腔时，防止蚀刻气体从所述第一膨胀腔流向所述第二膨胀腔，及从所述第二膨胀腔流向所述第一膨胀腔；

在步骤(d)中，当所述第一膨胀腔和第二膨胀腔同时连接到所述主腔时，所述防止器件用于防止蚀刻气体从所述第二膨胀腔流向所述第一膨胀腔；以及

在步骤(f)中，当所述第一膨胀腔和第二膨胀腔同时连接到所述主腔时，所述防止器件用于防止蚀刻气体从所述第一膨胀腔流向所述第二膨胀腔。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(a)、步骤(c)和步骤(e)中的至少一个包括控制用于连接的所述器件，以使相应的膨胀腔充有来自于惰性气体源的惰性气体，所述惰性气体源连接于用于连接的所述器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中惰性气体是氮、氦、氩、氙或者其一些组合。