[发明专利]用于零电压处理器休眠状态的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200680050111.7 申请日: 2006-12-18
公开(公告)号: CN101351762A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: R·米尔斯特里;A·纳维;V·乔治;S·贾哈吉尔达;S·A·费希尔;J·B·康拉德 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F1/32 分类号: G06F1/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;魏军
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 电压 处理器 休眠 状态 方法 设备
【说明书】:

相关申请的交叉参考

本申请涉及由发明人Kurts等人转让给英特尔公司的2004年8月 31日提交的美国申请No.10/931565、由发明人Naveh等人转让给英特 尔公司的2004年9月3日提交的美国申请No.10/934034、由发明人 Naveh等人转让给英特尔公司的2004年12月28日提交的美国申请 No.11/024538、由发明人Naveh等人转让给英特尔公司的2004年7月 27日提交的美国申请No.10/899674以及由发明人Jahagirdar转让给英 特尔公司的题为“Method and System for Optimizing Latency of Dynamic Memory Sizing”的同时提交的专利申请(案卷编号042390.P22076)。

技术领域

[0001]本发明的实施例涉及电子系统和功率管理领域。更具体来 说,本发明的实施例涉及用于零电压处理器休眠状态的方法和设备。

背景技术

[0002]随着向具有更多晶体管和更高频率的高级微处理器如中 央处理单元(CPU)发展的趋势继续增长,计算机设计者和制造商往往面 临功耗和能耗的相应增大。特别是在移动装置中,增大的功耗可能导 致过热,这可负面地影响性能,并且可能极大地降低电池寿命。由于 电池通常具有有限的容量,因此,运行移动装置的处理器大于必需的 可能比预期更快地耗尽容量。

[0003]因此,功耗仍旧是包括膝上型计算机、无线手机、个人数 字助理等在内的移动装置的重要问题。例如,在当今的移动装置中, 为了解决功率损耗有关问题,可根据减少的活动或需求使某些组件进 入较低功率休眠状态。

[0004]对于一种方法,操作系统可支持内置功率管理软件接口, 例如高级配置和电源接口(ACPI)(例如高级配置和电源接口,Ver. ×285,2004年6月)。ACPI描述一种功率管理策略,其中包括处理器 和/或芯片组可支持的各种“C状态”。对于这个策略,C0被定义为“运 行时间”状态,其中处理器工作在高电压和高频。C1被定义为“自动暂 停”状态,其中在内部停止内核时钟。C2被定义为“停止时钟”状态, 其中在外部停止内核时钟。C3被定义为“深休眠”状态,其中关闭所有 处理器时钟,以及C4被定义为“更深休眠”状态,其中停止所有处理器 时钟并将处理器电压降到更低的数据保持点。还提出了各种附加的更 深休眠功率状态C5...Cn。这些附加功率状态的特征在于C1至C4功 率状态的等效语义,但具有不同的进入/退出等待时间和功率节省。

[0005]在操作中,为了进入更深休眠状态,ACPI可检测不存在 对移动处理器的新或未决中断的时隙。然后,ACPI策略使用输入/输 出(I/O)控制器或其它芯片组特征使移动处理器进入更深休眠状态。

[0006]一旦使处理器进入更深休眠状态,就可把来自操作系统或 另一个源的中止事件或中断发送给芯片组,然后芯片组将允许处理器 退出更深休眠状态。在包括更深休眠状态在内的各种功率管理状态之 间进行转变的能力可使功率损耗能够减小并使电池寿命能够增大。

[0007]目前,通过在处理器电压调节器电路中参考外部电压参 考,并且每当I/O控制器或其它集成电路断言平台“更深休眠”信号、 如DPRSLPVR信号或其它类似信号时调节到这个参考电压,来完成进 入更深休眠状态。然后,电压调节器从第一电压转变到与更深休眠状 态关联的第二较低电压。在退出更深休眠状态时,在另一方向的电压 转变随类似指定时间窗口发生。

[0008]如前面所述,获得低功率休眠状态对于实现移动装置中更 好的电池寿命是重要的。移动装置市场是激烈竞争的产品空间,并且 这个空间的发展的关键领域之一是保持电池寿命的低功率解决方案。

[0009]可惜,移动装置中处理器的现有更深休眠状态仍消耗大量 功率,因为电压仍需要施加到处理器,并且无法完全断开。

附图说明

[0010]图1是示出根据本发明的一个实施例转变入和转变出处理 器的零电压功率管理状态的过程的流程图。

[0011]图2是根据本发明的一个实施例可用于实现零电压功率管 理状态方法的示范系统的框图。

[0012]图3是示出根据本发明的一个实施例的专用休眠状态 SRAM高速缓存和SRAM接口的一个示例的框图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680050111.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top