[发明专利]一种使薄膜形成图案的方法无效

专利信息
申请号: 200680046770.3 申请日: 2006-11-15
公开(公告)号: CN101384963A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: J·德梅洛;D·布拉德利;J·黄 申请(专利权)人: 帝国创新有限公司
主分类号: G03F7/11 分类号: G03F7/11
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民;路小龙
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 形成 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种使薄膜形成图案的方法,其包括:

在基底上沉积中间辐射敏感层;

将所述薄膜沉积在所述中间层上;

在沉积所述薄膜之前或之后:

使所述中间层曝光于图案化辐射,以引发其中的化学反应;

去除所述中间层的图案化辐射限定的部分和相应的薄膜,留下所 述基底上的图案化薄膜和图案化中间层。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述中间层包括负性抗蚀材 料;并且所述去除步骤包括去除未曝光部分。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述中间层包括正性抗蚀材 料;并且所述去除步骤包括去除曝光部分。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述辐射是在 光波长;在紫外波长;在300至400nm之间;在X射线波长;或者包 括电子束。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述辐射是通 过使用光掩模图案化的。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述辐射是通 过扫描辐射束图案化的。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述图案化辐 射包括干涉或衍射图案。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述辐射用空 间光调制器或微镜器件;或者通过选择性地处理微阵列发射源图案化 的。

9.根据权利要求5所述的方法,其中所述基底包括预图案化层; 并且所述光掩模包括预图案化层。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述预图案化层邻近所述中 间层。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述预图案化层在基底的与 所述中间层沉积的那一面相背的面上形成。

12.根据权利要求10所述的方法,其中所述图案化薄膜、图案化 中间层和基底构成了最终器件,并且其中所述预图案化层形成了所述 最终器件的活性部分。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述中间层从基 底或者如果沉积的话从薄膜侧中对辐射最透明的任何一个被照射。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述化学反应优 选地是交联、聚合、断链或氧化。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述薄膜包括导 体、半导体或绝缘体。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述薄膜包括聚 合物、发光聚合物、树枝状聚合物、发光树枝状聚合物、有机小分子、 发光有机小分子、金属、无机半导体或无机电介质。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述薄膜包括单 一材料类型、两种或多种材料类型的混合物、和/或两种或多种材料连 续沉积层的组合。

18.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述基底包括玻 璃、金属、塑料、纸、导体、半导体或绝缘体;其是刚性的、柔性的、 透明的或不透明的。

19.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述基底包括聚 对苯二甲酸乙二酯(PET)膜,所述中间层包括环氧化双酚A/甲醛线型酚 醛共聚物(SU8);并且所述薄膜包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙 烯磺酸酯)(PEDOT:PSS)。

20.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述去除步骤使 得所述中间层和薄膜同时形成图案。

21.一种薄膜结构,其包括基底以及根据前述权利要求中任一项所 述方法图案化的中间层和薄膜。

22.一种薄膜结构,其包括基底、根据权利要求1-21中任一项所 述方法要被图案化的薄膜、和辐射敏感中间层。

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