[发明专利]磁性隧道结温度传感器

权利要求书

1. 一种集成电路器件，包括：

衬底；

在衬底内形成的热源，其中所述热源产生具有温度的热能；以及

置于所述热源附近的伪MRAM单元，其中所述伪MRAM单元包括特殊磁性隧道结(“MTJ”)核芯，特殊磁性隧道结(“MTJ”)核芯具有随着所述热源温度变化的电阻值，所述伪MRAM单元用于确定温度的测量。

2. 根据权利要求1的集成电路器件，其中所述特殊磁性隧道结核芯响应热源温度的变化。

3. 根据权利要求2的集成电路器件，其中所述特殊MTJ核芯被配置为感测温度并且产生响应温度的电流。

4. 根据权利要求3的集成电路器件，其中特殊磁性隧道结核芯的电阻值响应由热源产生的热能的变化而变化。

5. 根据权利要求4的集成电路器件，其中所述特殊磁性隧道结核芯的电阻值作为热源温度的函数基本上线性地变化。

6. 根据权利要求3的集成电路器件，其中所述电流基于特殊磁性隧道结核芯的电阻值而变化。

7. 根据权利要求3的集成电路器件，其中特殊磁性隧道结核芯的电流用来确定热源的相应温度。

8. 根据权利要求3的集成电路器件，还包括：

温度传感器电路，被配置为将由特殊磁性隧道结核芯产生的电流与指示热源温度的相应温度相关联。

9. 根据权利要求1的集成电路器件，其中伪MRAM单元还包括第一传导层和第二传导层，并且其中特殊MTJ核芯置于所述第一传导层与所述第二传导层之间，并且还包括：

包括多个MRAM单元的MRAM单元阵列，其中所述多个MRAM单元的每一个包括：

所述第一传导层、所述第二传导层、以及在所述第一传导层与所述第二传导层之间形成的磁性隧道结(“MTJ”)核芯，其中每个MTJ核芯与伪MRAM单元的特殊MTJ核芯基本上相同。

10. 根据权利要求9的集成电路器件，其中所述热源通过前端制造工艺由前端层形成，其中所述MRAM单元阵列和所述特殊磁性隧道结核芯通过在前端制造工艺之后发生的后端制造工艺由后端层形成，并且其中特殊磁性隧道结核芯形成在所述热源之上并且热耦连到所述热源。

11. 根据权利要求1的集成电路器件，其中所述热源包括：

有源电路部件。

12. 根据权利要求11的集成电路器件，所述有源电路部件包括电源电路部件。

13. 根据权利要求11的集成电路器件，所述有源电路部件包括电源控制部件。

14. 根据权利要求11的集成电路器件，所述有源电路部件包括逻辑部件。

15. 根据权利要求9的集成电路器件，其中所述特殊磁性隧道结核芯包括：

第一电极；以及

第二电极，并且

其中所述特殊磁性隧道结核芯的电阻对温度的特性基于第一电极或第二电极相对于第一传导层或第二传导层的位置、第一电极或第二电极相对于第一传导层或第二传导层的接近性、第一电极或第二电极相对于第一传导层或第二传导层的纵横比、第一电极或第二电极相对于第一传导层或第二传导层的尺寸、或者第一电极或第二电极相对于第一传导层或第二传导层的定向中的至少一个而变化。

16. 根据权利要求9的集成电路器件，其中第一传导层还包括：

置于特殊磁性隧道结核芯之下的第一磁性屏蔽层；以及

其中第二传导层还包括：

置于特殊磁性隧道结核芯之上的第二磁性屏蔽层。

17. 一种集成电路器件，包括：

衬底；

在衬底内形成并且具有温度的热源；

在所述衬底上形成的磁性随机存取存储器(“MRAM”)体系结构，所述MRAM体系结构包括MRAM单元阵列和伪MRAM单元，伪MRAM单元包括特殊磁性隧道结(“MTJ”)核芯，特殊磁性隧道结(“MTJ”)核芯形成在所述热源之上并且被配置为产生相对于热源温度而变化的电流。