[发明专利]流体分析仪

权利要求书

1.一种流体分析仪，包括：

包括栅极和半导体导电沟道的晶体管，其中所述晶体管在所述栅极和所述半导体导电沟道之间限定腔，使得在使用时被引入到所述腔中的流体样本的成分可以被吸收到所述半导体的暴露表面部分上；以及

检测器，用于检测由吸收在所述半导体的所述暴露表面上的所述成分导致的所述晶体管的特性的变化，并响应于所述变化产生表示所述样本中的所述成分的浓度的测量信号。

2.根据权利要求1所述的流体分析仪，其中所述半导体导电沟道为有机半导体。

3.根据权利要求2所述的流体分析仪，其中所述有机半导体包括多芳基胺。

4.根据权利要求1所述的流体分析仪，其中所述晶体管还包括形成在所述栅极的表面上的绝缘层，所述绝缘层使所述栅极的表面部分暴露，且其中所述栅极、所述半导体导电沟道和所述绝缘层一起基本上限定了所述腔，所述半导体的所述暴露表面部分面对所述栅极的所述暴露表面部分。

5.根据权利要求4所述的流体分析仪，其中所述晶体管还包括形成在所述绝缘体层的第一部分和所述半导体之间的源极以及形成在所述绝缘体层的第二部分和所述半导体之间的漏极。

6.根据权利要求1所述的流体分析仪，其中所述晶体管还包括形成在所述半导体的上表面上的保护层。

7.根据权利要求1所述的流体分析仪，其中所述晶体管的特性为其阈值电压。

8.根据权利要求1所述的流体分析仪，其中所述流体样本为呼吸样本，所述分析仪还包括用于将所述呼吸样本输送到所述腔的口具。

9.根据权利要求1所述的流体分析仪，其中所述成分为一氧化氮、丙酮、乙醇、一氧化碳和异戊二烯之一。

10.一种分析流体样本的方法，该方法包括：

将流体样本接收到晶体管中限定在该晶体管的栅极和半导体层之间的腔中，所述半导体层形成所述晶体管的导电沟道，使得所述流体样本的成分可以被吸收在所述半导体层的暴露表面部分上；

检测由吸收在所述暴露表面部分上的所述成分所导致的所述晶体管的特性的变化，并响应于所述变化产生表示所述样本中的所述成分的浓度的信号。