[发明专利]包括发射源和荧光材料的照明系统

权利要求书

1.一种结构，包括：

半导体发光二极管，配置成发射具有第一峰值波长的光；

通式(Ca_1-x-y-zSr_xBa_yMg_z)_1-n(Al_1-a+bB_a)Si_1-bN_3-bO_b:RE_n的稀土金属激发的硅酸氧代氮化物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤a≤1，0＜b≤1以及0.002≤n≤0.2，以及RE选自于铕(II)和铈(III)，配置成吸收第一峰值波长的光和发射第二峰值波长的光；以及

磷光体，配置成吸收第一峰值波长的光和发射第三峰值波长的光；

其中第二峰值波长和第三峰值波长比第一峰值波长更长；以及

其中该结构发射包括第一峰值波长的光、第二峰值波长的光和第三峰值波长的光的复合光，其中该复合光具有至少80的显色指数Ra。

2.如权利要求1的结构，其中该第一峰值波长是蓝色，第二峰值波长是红色。

3.如权利要求1的结构，其中该磷光体是Y₃Al₅O₁₂:Ce³⁺。

4.如权利要求1的结构，其中该结构发射包括第一峰值波长的光、第二峰值波长的光和第三峰值波长的光的复合光，其中该复合光具有至少20的显色性指数R9。

5.一种形成磷光体的方法，该磷光体包括通式(Ca_1-x-y-zSr_xBa_yMg_z)_1-n(Al_1-a+bB_a)Si_1-bN_3-bO_b:RE_n的稀土金属激发的硅酸氧代氮化物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤a≤1，0＜b≤1以及0.002≤n≤0.2，以及RE选自于铕(II)和铈(III)，该方法包括：

碾磨至少一种混有助熔剂的前驱体材料；以及

在第一温度下烧制至少一种前驱体材料和所述助熔剂；

其中：

第一温度大于室温；以及

所述助熔剂在第一温度时形成液相。

6.如权利要求5的方法，其中该助熔剂包括NH₄Cl。

7.如权利要求5的方法，其中该助熔剂选自于包括CaF₂、SrF₂和NaCl的组中。