[实用新型]功率场效应晶体管静态参数的测试装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体管的检测装置，特别是指功率场效应晶体管(POWER MOSFET)静态参数的测试装置。

背景技术

功率场效应晶体管是一种新一代的功率晶体管，其具有耐压高，正向压降低，速度快的优点随着低压手持式设备的增长，功率场效应晶体管的需求急速增加，对于功率场效应晶体管的生产厂家，怎样高速，高效地测试功率场效应晶体管是非常重要的。

目前，业界都是采用传统仪器来测试功率场效应晶体管的各项静态参数，例如：采用万用表测电压电流，采用内阻测试仪测量电池内阻，采用稳压电源给功率场效应晶体管提供电压，电流等。上述传统测试功率场效应晶体管的各项静态参数的设备需要每项参数单独测试，分别记录，效率很低。且因为人工测试，操作人员容易因操作失误或视力疲劳造成误判，进而影响产品质量。

发明内容

本实用新型的所要解决的技术问题是提供一种对功率场效应晶体管的多个静态参数进行自动测试的装置。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种功率场效应晶体管静态参数的测试装置，具有数据处理单元，数据采集单元，功率场效应晶体管测试夹具，其特征在于：还具有一测试装置，该测试装置通过功率场效应晶体管测试夹具连接被检测的功率场效应晶体管；在数据处理单元向数据采集单元发送控制指令后，数据采集单元发出数字和模拟信号控制测试装置测试晶体管的静态参数，数字信号控制测试装置选通相应的测试电路，模拟信号驱动测试装置中的电压和电流发生器，给被测功率场效应晶体管加载电流和电压；数据采集装置将测试结果输出到数据处理单元。

其中，所述测试装置包括继电器网络，电流发生器，电压发生器，以及开启电压(Vt)测试电路，漏源击穿电压(BVds)测试电路，漏源漏电流(Idss)测试电路，寄生二极管正向压降(Vsd)测试电路，通态电阻(Ron)测试电路，门极击穿电压(BVgs)测试电路，门极漏电流(Idss)测试电路中的至少两种或两种以上，测试装置通过继电器网络选择上述测试电路的连接或断开。

其进一步改进为所述测试装置还进一步包括保护电路和报警电路。

其中，所述数据处理装置为PC机，数据采集装置为数据采集卡，数据处理装置装设在PC机主板的PCI插槽中。所述PC机能分析处理测试结果，并显示和保存结果。

其中，所述测试结果包括开启电压(Vt)，漏源击穿电压(BVds)，漏源漏电流(Idss)，寄生二极管正向压降(Vsd)，通态电阻(Ron)，门极击穿电压(BVgs)，门极漏电流(Idss)。

本实用新型的优点在于：通过所述功率场效应晶体管静态参数的自动测试装置代替传统仪器测试对功率场效应晶体管进行各项静态参数测试，测试集成度高，测试过程无需人工干涉，且测试数据自动保存，以便生产统计和品质分析。

附图说明

图1是本实用新型功率场效应晶体管静态参数测试装置的结构示意图。

图2是本实用新型对开启电压(Vt)测量的电路示意图。

图3是本实用新型对漏源击穿电压(BVds)测试的电路示意图。

图4是本实用新型对漏源漏电流(Idss)测试的电路示意图。

图5是本实用新型对通态电阻(Ron)测试的电路示意图。

图6是本实用新型对寄生二极管正向压降(Vsd)测试的电路示意图。

图7是本实用新型对门极击穿电压(BVgs)测试的电路示意图。

图8是本实用新型对门极漏电流(Idss)测试的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做出进一步的说明。

请参阅图1，为该功率场效应晶体管静态参数测试设备的结构示意图。该设备主要包括两大部分，即数据采集处理系统和一个测试装置。数据采集处理系统包括PC机、数据采集卡，将数据采集卡装入PC机主板的PCI插槽中。测试装置内有完备的测试电路，包括电流发生器，高压发生器，电流采样电路，电压采样电路，保护电路，报警电路，及继电器网络。在测试晶圆时，需要通过探针台连接测试装置和被测晶圆。