[发明专利]超临界流体清洗方法及其系统无效
申请号: | 200610144892.8 | 申请日: | 2006-11-28 |
公开(公告)号: | CN101190438A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 金光祖;陈秋美;张佩琳;陈宜晶 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;B08B11/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临界 流体 清洗 方法 及其 系统 | ||
1.一种超临界流体清洗方法,用以移除置于一处理槽的一元件表面的不纯物质,其特征在于,其步骤包含:
通入一第一超临界流体于该处理槽以清洁该元件表面;
排放该第一超临界流体;
通入一第二超临界流体于该处理槽以浸泡该元件;
使该第二超临界流体动态循环以冲洗该元件;及干燥该元件。
2.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该第一超临界流体包含修饰剂,其添加比例范围占总组成的0.5%至15%体积百分率。
3.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该第二超临界流体包含修饰剂,其添加比例范围占总组成的0.5%至15%体积百分率。
4.如权利要求2或3项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该修饰剂选自甲醇、乙醇、丙醇及丁醇其中之一。
5.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该元件表面包含纳米孔洞或高深宽比微结构。
6.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该第一超临界流体温度范围介于摄氏40度至80度。
7.如权利要求8项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该第二超临界流体温度范围介于摄氏40度至80度。
8.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该第一超临界流体压力范围介于1000至5000磅/每平方英时。
9.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该第二超临界流体压力范围介于1000至5000磅/每平方英时。
10.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该第一与第二超临界流体为二氧化碳超临界流体。
11.如权利要求1项所述的超临界流体清洗方法,其特征在于,其中该元件干燥之前,进行一次下列步骤:
停止该第二超临界流体动态循环以浸泡该元件;及
动态循环该第二超临界流体以冲洗该元件。
12.一种超临界流体清洗系统,其特征在于,包含:
一处理槽,是可通入及排放一超临界流体;
一超临界流体源,连接于该处理槽,以提供该超临界流体至该处理槽;
一修饰剂供应源,连接于该处理槽,以提供一修饰剂至该处理槽;及
一循环回路,具有一出口及一入口,该入口及该出口分别连接于该处理槽,该超临界流体透过该出口离开该处理槽,再经由该入口进入该处理槽。
13.如权利要求12项所述的超临界流体清洗系统,其特征在于,其中该处理槽包含一元件固定装置,用以放置欲清洗的一元件。
14.如权利要求13项所述的超临界流体清洗系统,其特征在于,其中该元件固定装置使该元件以旋转或摇动的方式运动。
15.如权利要求12项所述的超临界流体清洗系统,其特征在于,其中还包含一排放流体回收装置,连接于该处理槽以排放该超临界流体,并回收至该反应流体供应源。
16.如权利要求12项所述的超临界流体清洗系统,其特征在于,其中该排放流体回收装置包含一过滤器,以滤除该超临界流体的杂质。
17.如权利要求12项所述的超临界流体清洗系统,其特征在于,其中还包含一流量控制装置,是连接该超临界流体源及该处理槽,以控制该超临界流体通入该处理槽的流量。
18.如权利要求12项所述的超临界流体清洗系统,其特征在于,其中还包含一压力控制装置,以控制该超临界流体通入该处理槽的压力。
19.如权利要求12项所述的超临界流体清洗系统,其特征在于,其中还包含一温度控制装置,以控制该超临界流体通入该处理槽的温度。
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