[发明专利]使用了磁传感器的天线装置、接收装置及钟表

说明书

本申请基于并主张2005年10月28日提交的申请号为No.2005-314609以及6月28日提交的申请号为No.2006-178232中的在先日本专利申请的优先权的权益，其所有内容特别在此通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及使用了磁传感器的天线电路、接收装置及具备该天线电路的钟表。

背景技术

近年来，提出了一种利用使用了磁阻效应元件(磁気インピ一ダンス效果素子)(MI元件)的磁传感器形成天线的技术(例如，专利文献：日本特开2000-188558号公报)。如该日本特开2000-188558号公报所述，当微小的高频电流通过形成为线材状或带状的软磁材料时，在软磁材料的两端产生因阻抗形成的输出电压。磁阻效应是指，当外部磁场附加在已通过微小高频电流的软磁材料上时，软磁材料的阻抗灵敏变化，从而软磁材料两端的输出电压也发生变化。

图18是表示一例通过利用使用了MI元件的磁传感器来检测磁力而构成的天线电路以及继天线电路之后的过滤电路的图。S1表示高频信号发生器，R1表示电阻，C1表示电容器，Z1表示MI磁传感器。在图18的磁传感器中，来自高频信号发生器S1的高频信号被电阻R1、MI磁传感器Z1分割，通过电容器C1后输出。这里，当在MI磁传感器Z1上施加如虚线箭头所示的交流磁场时，如图19a所示那样，表示的是高频信号发生器S1的信号因MI磁传感器Z1的磁场与阻抗的关系而被分割，由于交流磁场磁电阻发生变化。这里，由于磁场的正/负变化，所以偶函数的输出形成使正弦波从中心折返的形状，可输出为变化频率二倍的频率成分。

而且，当增加如图19b所示的固定磁场(参照符号1901)时，在该磁场中心输出外部磁场的变化。即，在图19b中表示为，在固定磁场附近几乎呈直线，电阻随着外部磁场而发生变化。也就是由于不产生上述的折返，所以以用相同频率产生磁电阻变化。

另外，在图18的天线电路中，在a点发生的信号是利用S1的Asinωt，受到了磁场变化的磁传感器的a点电压是Va＝Asinωt·Z1/(R1+Z1)。

MI磁传感器Z1由于因磁场变化其阻抗发生变化，所以当Z1＝Z(1+Bsinpt)时，由于B＜＜1，所以Va可替换为如下：

Va=Asinωt·Z1/(R1+Z1)=Asinωt·Z(1+Bsinpt)/(R1+Z(1+Bsinpt))]]>

(1)式与振幅调制(AM)的形式相同，表示的是高频信号发生器S1的信号由磁场频率而受到振幅调制。另一方面，来自高频信号发生器S1的信号是用于产生磁传感器的集肤效应的高频信号，磁传感器的阻抗变化处于调制来自高频信号发生器S1的信号的状态。如图20a所示，来自高频信号发生器S1的信号由于磁场变化(参照符号2000)而处于受到如符号2002那样变化的状态。因此，如图10a所示的波形从a点或电容器C1传播。因此，通过采用利用与AM接收器等同的电路来接收该波形的结构，可接收磁场变化。这里，受到变化的信号由于被振幅调制，所以如图20b所示，相对于载波信号2010发生侧波带(側波带)2011、2012。侧波带由于因磁变化而变动，所以只要检测它即可，但如(1)式所示，由于B值十分小(几个百分点左右)，所以相对于载波信号，侧波带格外小。