[发明专利]光罩回收处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种适用于高科技半导体、面板制造产业等需使用光罩产业的工艺，具体涉及废弃光罩经去除金属铬膜后，加以回收再生利用的方法。

背景技术

光罩(Photo Mask)是一种利用电子束曝光系统将铬膜上的图形制作在玻璃或石英上的工具，该玻璃或石英上含有铬膜(Cr)之处是光无法透过去的。

以光罩使用于半导体工厂的制造过程为例，半导体或晶圆制造过程是由数百道至上千道的工艺所构成，重复着影印法、溶蚀、薄膜、扩散、离子植入等等过程。光罩就是使用在影印法工艺(Photolithography)中，晶圆在进入曝光机台(stepper或scanner)进行曝光前，需先由光刻胶涂布机(PR coater)涂上一层固定厚度的光刻胶(photo resister)，再送到曝光机台进行曝光，把光罩上的图案(Pattern)重现在晶圆上面，曝光后经过显影、定影步骤，才算完成影印法工艺，再经过溶蚀工艺去掉光刻胶，就会得到所需要的图案(Pattern)。

然而使用后遭淘汰的光罩以目前处理方式是直接销毁，而无进一步的利用价值。

发明内容

本发明主要目的在于提供一种去除金属铬膜后的光罩回收处理方法，将回收后的光罩再利用，即对玻璃或石英材质的光罩上的金属铬膜予以去除，将该光罩还原成未加工前的成品。

本发明可应用的技术领域涵盖半导体及面板制造领域，光罩(Photo Mask)的使用就如同使用一张底片一样，直接将电路布局图转印在半导体的晶圆上，借由优异技术，透过光罩来投射单一影像至晶圆上。随着半导体细线化的趋势，纳米级以下的光罩已成为全球光罩厂研发努力的目标，因此未来光罩需求量将会与日俱增持续成长，光罩(Photo Mask)的应用范围亦将随着产业发展而扩增。

本发明的一种光罩(Photo Mask)回收处理方法，其处理实施步骤为：

步骤一、溶蚀：用化学溶蚀液去除回收光罩表面的金属铬膜；

步骤二、洗净、烘干：将经过溶蚀后的光罩洗净烘干；

步骤三、工艺检验：检测光罩的表面状态；

步骤四、研磨：以研磨方式去除回收的光罩表面可能残留的化学成份及异物，确实完成清洁；

步骤五、洗净、烘干：将经过研磨后的光罩洗净烘干；

步骤六、工艺检验：若检测未符合规定则再次经过步骤四、步骤五的流程。

检验合格则为成品。

更具体来说，本发明的光罩(Photo Mask)回收处理方法包括以下更详细步骤：步骤一、溶蚀：

1-1将含金属铬膜的光罩置于溶蚀槽中浸泡处理，溶蚀槽内含溶蚀液，令溶蚀液加热到摄氏20～60℃后，光罩完全浸泡于溶蚀槽中10～20分钟；

1-2再将光罩浸泡于另一纯水槽中，进行约1分钟纯水浸泡清洗；

1-3将光罩浸泡于另一含中和液的中和槽中，并令该中和液加热到摄氏40～50℃后，将光罩浸泡于中和槽中约3分钟；

1-4最后将光罩浸泡于另一纯水槽中，进行约1分钟纯水浸泡清洗；

步骤二、洗净、烘干：将经过溶蚀后的光罩洗净烘干；

步骤三、工艺检验：检测光罩的表面状态；

步骤四、研磨：去除光罩表面可能残留的化学成份及异物；

步骤五、洗净、烘干：将经过研磨后的光罩洗净烘干；

步骤六、工艺检验：若检测未符合规定则再次经过步骤四、步骤五的流程；

检验合格则为成品。

附图说明

图1所示是本发明光罩回收处理方法的流程图。

具体实施方式

本发明有鉴于现阶段光罩(Photo Mask)的应用仍有待改善，提出一种设计合理且可使光罩回收再利用的新工艺发明。

关于本发明的光罩回收处理步骤其工艺技术请参阅本发明图1的流程图。

步骤一、溶蚀：

1-1、将回收的光罩进行去除金属铬膜的处理，就是将光罩置于溶蚀槽中浸泡处理，溶蚀槽内含溶蚀液(硝酸铵铈硝酸溶液Ce(NH₄)₂(NO₃)/HNO₃或过氯酸HClO₄，浓度10％～25％(w/v))，并令该溶蚀槽中的溶蚀液加热到摄氏20～60℃后，将含金属铬膜的光罩(Photo Mask)完全浸泡于溶蚀槽中10～20分钟，将含金属铬膜等成份的大型光罩，作分子游离化的化学处理，借以将金属铬膜带出，使其与光罩底层表面(石英玻璃)达到松脱分离状态。