[发明专利]一种自恢复多功能保护电路有效

专利信息
申请号: 200610114175.0 申请日: 2006-10-31
公开(公告)号: CN101174769A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 杨志强 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H02H7/122 分类号: H02H7/122
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;徐金国
地址: 518057广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 恢复 多功能 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种自恢复多功能保护电路,适用于开关电源,该保护电路包括开关电源脉宽调制控制器及其基准电源、电压反馈环的电压补偿端,其特征在于,还包括:

一阈值设定电路,用于根据所述开关电源脉宽调制控制器的基准电源电压得到一阈值基准电压;

一第一信号检测电路,用于检测电流信号以得到电路短路的异常状态;

一第二信号检测电路,用于检测过压信号并在过压状态发生时控制所述阈值基准电压;

一保护检测电路,连接所述第一信号检测电路、所述第二信号检测电路、所述阈值设定电路,用于通过比较所述电压补偿端的电压、所述阈值基准电压控制输出电压;

一保护动作电路,连接所述保护检测电路,用于在短路和/或过压状态发生时根据所述输出电压控制所述电压补偿端的电压,以关闭所述开关电源脉宽调制控制器的输出;及

一保护恢复电路,连接所述保护检测电路,用于在过流和/或过压状态消失时根据所述输出电压控制所述电压补偿端的电压,以恢复所述开关电源脉宽调制控制器的输出。

2.根据权利要求1所述的自恢复多功能保护电路,其特征在于,所述第一信号检测电路又包括:第一二极管(VD11)、第一电阻(R39)、第二电阻(R55)及第一电容(C30);

第一二极管(VD11)的阳极接所述电压补偿端,其阴极与第一电阻(R39)、第二电阻(R55)串联,第二电阻(R55)与第一电容(C30)并联。

3.根据权利要求1所述的自恢复多功能保护电路,其特征在于,所述第二信号检测电路又包括:第六电阻(R14)、第七电阻(R24)、基准电压源(D6)、第二比较器(D3A)、第八电阻(R35)、第九电阻(R36)和第四电容(C11)、第十电阻(R21)、光耦(D8);光耦(D8)又包括第二三极管、发光二极管;

第六电阻(R14)、第七电阻(R24)、基准电压源(D6)的一端共同接第二比较器(D3A)的反向输入端,第六电阻(R14)的另一端接待检测输出电压,第七电阻(R24)、基准电压源(D6)的另一端接输出地;

第八电阻(R35)、第九电阻(R36)和第四电容(C11)的一端共同接第二比较器(D3A)的同向输入端,第八电阻(R35)的另一端接待检测输出电压,第九电阻(R36)和第四电容(C11)的另一端接输出地;

第二比较器(D3A)的输出端通过第十电阻(R21)与发光二极管的阳极相连,发光二极管的阴极接输出地;第二三极管的集电极接一公共点,发射极接输入地。

4.根据权利要求2或3所述的自恢复多功能保护电路,其特征在于,所述阈值设定电路又包括:第三电阻(R63)、第四电阻(R64)及第二电容(C7);

第三电阻(R63)的一端接基准电源,另一端与第四电阻(R64)相连,第二电容(C7)与第四电阻(R64)并联。

5.根据权利要求4所述的自恢复多功能保护电路,其特征在于,所述保护检测电路又包括:第一比较器(D4);

第一电阻(R39)和第二电阻(R55)串联的中点连接到第一比较器(D4)的同向输入端,第三电阻(R63)和第四电阻(R64)串联的中点、所述公共点分别连接到第一比较器(D4)的反向输入端。

6.根据权利要求5所述的自恢复多功能保护电路,其特征在于,所述保护动作电路又包括:第五电阻(62)及第一三极管(VT2A);

第五电阻(R62)的一端接第一比较器(D4)的输出端,另一端接第一三极管(VT2A)的基极;第一三极管(VT2A)的集电极接所述电压补偿端,发射极接地。

7.根据权利要求6所述的自恢复多功能保护电路,其特征在于,所述保护恢复电路又包括:第二二极管(VD10)及第三电容(C33);

第二二极管(VD10)的阳极与第三电容(C33)的一端相连,其阴极接所述基准电源,第二二极管(VD10)、第三电容(C33)的中点接第一比较器(D4)的同向输入端,第三电容(C33)的另一端接第一比较器(D4)的输出端。

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