[发明专利]磁控管阴极用钼组件的制造方法无效
申请号: | 200610061507.3 | 申请日: | 2006-06-30 |
公开(公告)号: | CN101097825A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 顾进跃;袁克艳;杨贺良 | 申请(专利权)人: | 顾进跃 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J9/00 |
代理公司: | 深圳市港湾知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡亚宏 |
地址: | 518048广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控管 阴极 组件 制造 方法 | ||
1.一种磁控管阴极用钼组件的制造方法,主要包括以下步骤:
第一步,把钼粉填充于专用的模具内,加压压制成钼端帽坯体;然后在中频感应烧结炉中还原性气体中对钼端帽坯体进行烧结,其中烧结温度规定在1650℃至1800℃范围内,烧结时间范围为2小时至6小时,获得抗弯折强度大于35kg/mm2的上钼端帽与下钼端帽;
第二步,将所获取的上钼端帽与下钼端帽分别与一环形焊料片焊接在一起;
第三步,将焊有环形焊料片的上钼端帽与中心钼引线杆焊接在一起,将焊有环形焊料片的下钼端帽与侧钼引线杆焊接在一起。
2.根据权利要求1所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中加压压制成钼端帽坯体时,其钼粉是采用费氏平均粒度2.5um至4.0um间范围内的钼粉,成型压力采用1.5吨/cm2至2.5吨/cm2间范围内的成型压力。
3.根据权利要求1所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中所得到钼端帽坯体的密度范围为5g/cm3至7g/cm3。
4.根据权利要求1所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中烧结温度取1680℃至1750℃间的范围内。
5.根据权利要求1所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中所述的还原性气体是指氢气。
6.根据权利要求5所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中使用氢气的流量范围为1Nm3/小时至5Nm3/小时。
7.根据权利要求1所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中所述的环形焊料片是指Mo-Ru或Mo-Ru-Ni组成的环形焊料片。
8.根据权利要求7所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中Mo-Ru组成的环形焊料片是由钼和30%~60%重量的Ru组成,其重量为12mg,外径为∮3.92mm,内径为∮3.0mm,厚度为0.3mm。
9.根据权利要求7所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中Mo-Ru-Ni组成的环形焊料片是由钼和30%~60%重量的Ru和10%~40%重量的Ni组成,其重量为12mg,外径为∮3.92mm,内径为∮3.0mm,厚度为0.3mm。
10、根据权利要求1至9中任意一项所述的磁控管阴极用钼组件的制造方法,其中第二步中,上钼端帽与下钼端帽分别与一环形焊料片焊接时,是利用激光同时作多点焊接的焊接方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于顾进跃,未经顾进跃许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610061507.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于输送冲压机中工件的传送系统
- 下一篇:微管蛋白抑制剂的纳米颗粒组合物