[发明专利]多功能纳米晶体

权利要求书

1.一种复合纳米粒子，包括：

材料选自磁性材料和无机半导体的核心；以及

材料选自无机半导体和磁性材料的外壳，其中所述核心和所述外壳采用不同的材料而且所述的复合纳米粒子特征是具有多功能的特性，包括来自所述磁性材料的磁性能和来自所述无机半导体材料的光学性质。

2.根据权利要求1的复合纳米粒子，包括多种纳米粒子，其中所述核心有单分散的尺寸分布。

3.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述核心包括至少两种活性无机半导体的多层。

4.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述外壳包括至少两种活性无机半导体的多层。

5.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述核心有至少一种在大约1.5纳米和大约30纳米之间的尺寸。

6.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述外壳的厚度从大约0.3纳米到大约3纳米。

7.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述外壳是单晶的或多晶的。

8.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述核心具有选自球形结构、棒状结构、线形结构和分枝结构的结构。

9.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述核心是磁性材料的，所述磁性材料选自钴、镍、铁、铁-铂、氧化铁和氧化镁铁尖晶石。

10.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述核心是无机半导体材料的，所述无机半导体材料选自II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-V族化合物和II-IV-VI族化合物。

11.根据权利要求9的复合纳米粒子，其中所述的无机半导体外壳的材料选自II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-V族化合物和II-IV-VI族化合物。

12.根据权利要求10的复合纳米粒子，其中所述金属材料外壳的材料选自钴、镍、铁、铁-铂、氧化铁和氧化镁铁尖晶石。

13.根据权利要求1的复合纳米粒子，其中所述的纳米粒子包括钴磁性材料核心和硒化镉无机半导体外壳。

14.根据权利要求1的复合纳米粒子，进一步包括在所述核心和所述外壳之间的衬料，所述衬料选自厚度或组成使其能本质上独自地起衬料作用的绝缘材料和无机半导体材料。

15.根据权利要求11的复合纳米粒子，进一步包括在所述核心和所述外壳之间的衬料，所述衬料选自厚度或组成使其能本质上独自地起衬料作用的绝缘材料和无机半导体材料。

16.根据权利要求12的复合纳米粒子，进一步包括在所述核心和所述外壳之间的衬料，所述衬料选自厚度或组成使其能本质上独自地起衬料作用的绝缘材料和无机半导体材料。

17.根据权利要求1的复合纳米粒子，进一步包括在所述外壳层之上的钝化层。

18.根据权利要求11的复合纳米粒子，进一步包括在所述外壳层之上的钝化层。

19.根据权利要求16的复合纳米粒子，进一步包括在所述外壳层之上的钝化层。

20.一种形成复合纳米粒子的程序，每个复合纳米粒子都包括材料选自磁性材料和无机半导体的核心和材料选自无机半导体和磁性材料的外壳，其中所述核心和所述外壳是用不同的材料制作的，该程序包括：

使磁性材料或无机半导体材料的纳米粒子在液体介质内悬浮或成为溶剂化物；

把母料引进液体介质，其中所述母料(i)在所述核心为无机半导体材料时是磁性材料的母料或者(ii)在所述核心为磁性材料时是无机半导体材料的母料；以及

在能够获得沉积的条件下使所述母料反应，其中外壳是在所述核心上形成的。

21.根据权利要求20的程序，其中所述核心有在大约1.5纳米和大约30纳米之间的至少一种尺寸。

22.根据权利要求20的程序，其中所述外壳的厚度从大约0.3纳米到大约3纳米。