[发明专利]用作电解电容器电极的铝材料，电解电容器电极材料的制造方法，铝电解电容器的阳极材料，以及铝电解电容器

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2004年12月21日提交的日本专利申请No.2004-369781，2005年5月31日提交的日本专利申请No.2005-160275，2005年6月7日提交的美国临时申请No.60/687,880，2005年11月4日提交的日本专利申请No.2005-321354和2005年11月4日提交的日本专利申请No.2005-321360的优先权，在此引入其整个内容作为参考。

本申请是基于35 U.S.C.§111(a)提交的申请，根据35U.S.C.§119(e)(1)，要求根据35 U.S.C.§111(b)于2005年6月7日提交的美国临时申请No.60/687,880的优先权。

技术领域

本发明涉及用作电解电容器电极的铝材料，电解电容器电极材料的制造方法，铝电解电容器的阳极材料，以及铝电解电容器。

在此公开中，术语“铝”通常指铝及其合金，并且“铝材料”至少包括铝箔，铝板及其产品。

背景技术

下面的描述阐明发明人对相关技术和其中的问题的认识，而不应该认为是对现有技术中的知识的认可。

根据最近电子器件的小型化，人们期望增加用作电解电容器电极的铝箔的电容量以将其集成到电子器件中。

通常蚀刻用作电解电容器电极的铝材料以增加扩大的表面区域比，提高电容量。当通过蚀刻形成的蚀刻凹陷较深并且密度均匀时，扩大的表面区域比增加。因此，为了提高铝材料的蚀刻适宜性，进行各种工艺作为预处理。

这样的预处理的实例包括(100)晶体取向的调整，通过向铝材料添加少量如Pb或Bi的杂质调整成分，在最后的退火前脱脂，在最后的退火前氢处理并且在最后的退火期间形成结晶氧化物膜的处理，以及在最后的退火前氧化处理(参见，例如，日本审查专利公开No.S58-34925(此后称为，专利文件1)和日本未审查专利公开No.H03-122260(此后称为，专利文件2))。

还旨在一种方法，该方法通过调整构成铝材料的如Zn，Mn，Cu，Fe，Si，Ga，Pb，Mg，B，V，Ti，Zr，Ni，C和P的不同元素的含量获得高电容量(参见，例如，日本未审查专利申请公开No.H02-270928(此后称为，专利文件3)和日本未审查专利申请公开No.H05-5145(此后称为，专利文件4))。

据报道，在最终的退火后在铝箔的电流密度迅速增加的点处具有可调范围的饱和电流密度和电势的氧化物膜，在表面溶解中受限制，这导致高电容量(参见，例如，日本未审查专利申请公开No.H11-36032(此后称为，专利文件5))。

另外，据报道，如果铝箔具有铝材料内部的点蚀(pitting)电势：-760到-735mV和其表面的点蚀电势：比上述电势低10到60mV，可以形成均匀并且较深的蚀刻(参见，例如，日本未审查专利申请公开No.H4-143242(此后称为，专利文件6))。

然而，上述努力没有足够的产量满足近来对获得电解电容器的高电容量的要求。特别是，如专利文件3和4公开的，关于痕量元素的含量受控制的技术，它们还有极大的提高空间。

另外，如专利文件5公开的，关于在电流密度迅速增加的点处的饱和电流密度和电势的范围的调整，应该注意，此技术调整形成表面层的氧化物膜的特性，没有考虑与包含在铝部件内的痕量元素的关系。

另外，在专利文件6中，虽然强调了将表面层的点蚀电势设置的比内部的点蚀电势低的重要性，但是控制内部以及控制表面层变得很重要，因为作为电解蚀刻前的预处理，在当前的蚀刻中经常除去表面层。因此该建议不充分。

另外，最近几年，蚀刻制造者对降低成本的要求以及高电容量的要求变得重要，因此，人们希望提供能够同时获得高电容量和低成本的铝材料。

这里描述的在其它出版物中公开的各种部件，实施例，方法和装置的优点和缺点不是旨在限制本发明。实际上，虽然仍保留这里公开的一些或所有部件，实施例，方法和装置，但是本发明的具体部件可以克服具体的缺点。

从下面的优选实施例可以明白本发明的其它方面和优点。

发明内容

考虑到相关技术中的上述和/或其它问题，本发明的优选实施例取得了进展。本发明的优选实施例可以显著改善已有的方法和/或装置。

本发明的第一目的是提供用作电解电容器电极的铝材料，即使在使用大量比通过三层电解精炼工艺精炼的铝坯料(ingot)更便宜的通过分离工艺精炼的铝坯料的情况下，该材料通过均匀制造高密度深蚀刻凹陷切实增加扩大的表面区域比提高电容量。