[发明专利]编程、读取及擦除存储－二极管阵列中的存储－二极管的方法

权利要求书

1.一种提供存储-二极管(130)的状态的方法，包括下列步骤：

施加第一电位通过该存储-二极管(130)以提供存储-二极管(130)导电状态；以及

施加第二电位通过该存储-二极管(130)以建立存储-二极管(130)临界电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一电位是在该存储-二极管(130)的正向从高电位至低电位施加的。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该第二电位是在该存储-二极管的反向从高电位至低电位施加的。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第二电位是在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加的。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加第三电位通过该存储-二极管(130)，该第三电位大于该第二电位。

6.如权利要求4所述的方法，还包括在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加第三电位通过该存储-二极管(130)，该第三电位大于该第二电位。

7.如权利要求6所述的方法，其中，在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加第三电位通过该存储-二极管(130)的步骤是存储-二极管(130)擦除步骤。

8.一种建立导电的存储-二极管(130)的临界电压的方法，包括在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加电位通过该存储-二极管(130)。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该建立的存储-二极管(130)的临界电压取决于在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加通过该存储-二极管(130)的电位的大小。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该建立的存储-二极管(130)的临界电压随着在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加通过该存储-二极管(130)的电位的大小增加而增加。

11.一种对存储-二极管(130)执行程序的方法，包括下列步骤：

在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位提供电位通过该存储-二极管(130)，预定提供该存储-二极管(130)的擦除状态；以及

在该存储-二极管(130)的正向从高电位至低电位施加电位通过该存储-二极管(130)，以检验该存储-二极管(130)的状态。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在该存储-二极管(130)的正向从高电位至低电位施加电位通过该存储-二极管(130)的步骤是存储-二极管(130)读取步骤。

13.一种对导电状态中的存储-二极管(130)执行程序的方法，包括下列步骤：

在该存储-二极管(130)的正向从高电位至低电位施加电位通过该存储-二极管(130)，预定读取该存储-二极管(130)的状态；以及

在该存储-二极管(130)的反向从高电位至低电位施加电位通过该存储-二极管(130)，以建立存储-二极管(130)临界电压。

14.如权利要求13所述的方法，其中，对该存储-二极管(130)执行的程序是读取-完成程序。

15.一种对存储阵列(140)的选择的存储-二极管(130)执行程序的方法，该存储阵列(140)包括第一数个导体(142)、第二数个导体(144)以及数个存储-二极管(130)，各个存储-二极管(130)连接该第一数个导体(142)的其中一个(BL)和该第二数个导体(144)的其中一个(WL)，该方法包括下列步骤：

在该选择的存储-二极管(130)的正向从高电位至低电位提供电位通过该选择的存储-二极管(130)，预定将该选择的存储-二极管(130)编程至导电状态；以及

但是上述步骤在下列情况下进行，在该选择的存储-二极管(130)的预定编程期间，在该阵列(140)中的各个其它编程的存储-二极管(130)已在其正向通过其中提供有小于其临界电压的电位。