[发明专利]表面图案化和使用受控沉淀式生长的通孔制造无效
申请号: | 200580043645.2 | 申请日: | 2005-12-12 |
公开(公告)号: | CN101084469A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | D·布丁斯基 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;C30B7/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 图案 使用 受控 沉淀 生长 制造 | ||
1、一种提供具有图案化材料的衬底的工艺,所述工艺包括提供包括至少一个表面的衬底,在所述表面上需要将材料图案化,所述表面包括具有不同表面性质的至少第一和第二表面区域,其中在所述第一表面区域上进一步具有保护沉淀式生长物,并将至少一种材料应用到至少所述第二表面区域,因此,或者基本不将所述应用材料提供到所述第一表面区域,或者如果将所述应用材料提供到所述第一表面区域,可从所述第一表面区域选择性地去除所述应用材料。
2、根据权利要求1所述的工艺,其中所述第一表面区域或所述第二表面区域包括SAM成形分子种。
3、根据权利要求2所述的工艺,其中所述第一表面区域包括第一SAM成形分子种,所述第二表面区域包括第二SAM成形分子种。
4、根据权利要求2或3所述的工艺,其中通过微接触印刷应用至少一种SAM成形分子种。
5、根据权利要求2至4中的任何一项所述的工艺,其中所述SAM成形分子种的暴露官能度可选择性地允许、促进或抑制在其上的沉淀式生长。
6、根据权利要求1至5中的任何一项所述的工艺,其中所述沉淀式生长包括盐沉淀。
7、根据权利要求1至6中的任何一项所述的工艺,其中将所述材料选择性地应用到所述衬底表面的所述第二表面区域。
8、根据权利要求1至6中的任何一项所述的工艺,其中将所述材料应用到(i)所述第二表面区域,和(ii)被提供到所述第一表面区域的所述保护沉淀式生长物,其中(ii)中这样应用,以允许随后选择性去除所述沉淀式生长物和被应用到所述沉淀式生长物的材料。
9、一种制造包括如权利要求1内所定义的具有图案化材料的衬底的电子器件的工艺,其中通过如权利要求1至8中的任何一项所定义的工艺制备所述图案化衬底。
10、根据权利要求9所述的工艺,其中所述电子器件是包括LCD或LED显示器的驱动电子设备的有机电子电路。
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