[发明专利]电磁干扰抑制体、天线装置及电子信息传输装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种电磁干扰抑制体，用于抑制因电子设备内的无意电磁波的干扰产生的电磁损害，更具体地说，就是涉及在具有被称为RF-ID(Radio Frequency Identification)的IC标签功能的设备中，为了改善使用电磁感应方式频率(例如：135KHz以下、13.56MHz等)的无线通信，以减少近旁金属的影响为目的而采用的电磁干扰抑制体，以及使用该电磁干扰抑制体的天线装置及电子信息传输装置。 

背景技术

近年来，电视机等家用电器产品、个人电脑等计算机、移动电话等移动通信设备、以及医疗设备等各种电子设备得到广泛应用，这些电子设备发射出的无意电磁波会对其他电子设备产生影响，导致误操作等不良后果。因此，在这些电子设备中使用电磁干扰抑制体，可以去除无意电磁波，或者对其进行遮蔽。 

另外，近年来，上述电子设备类的高速化、轻量化、薄型化及小型化得到迅速发展，电路上的电子部件封装密度也得到飞跃性提高。因此，随着部件间或电路基板间因电磁干扰引起的电磁噪音的增大，在电子设备内部，部件间或电路基板之间，因无意电磁波导致电磁干扰故障的可能性也随之增大。 

再者，使用以13.56MHz频带为中心的电磁波进行无线通信的具有IC标签功能的移动终端(例如：移动电话、IC卡、标签等RF-ID系统)已进入实用化阶段。这种情况下，在小而薄的移动电话的筐体内需要安装接收用的环形天线，但通过电磁波屏蔽后，当金属筐体或经过电镀等导电化处理后的筐体内面位于接近该换形天线的位置上时，收发信号时在环形天线周围产生的磁场的磁力线与金属表面平行走向，使金属表面产生涡电流 而造成损耗。再者，由该涡电流产生的磁场，被形成在与最初的磁场相抵消的方向上(成为逆磁场)，再通过共振频率的变动，通信所用频率下的磁场大幅衰减，确认出现通信距离显著变短的现象。 

通过磁结合进行的无线通信中，作为防止因环形天线近旁的金属引起的通信障碍的对策之一，可以举出在环形天线和筐体之间配置磁屏蔽膜片(磁性膜片)的方法。作为磁屏蔽膜片，提出了在13.56MHz频带中复合比导磁率的实数部(μ’)数值高(容易集中磁通量)，而虚数部(μ”)数值低(集中的磁通量难以进行热转换)的膜片方案。该磁屏蔽膜片中使用了本发明所述的电磁干扰抑制体。 

作为抑制电磁损害的对策之一，在专利文献1中，公开了一种在电子部件或电路的附近配置使软磁性体粉末分散到粘合剂中而成的膜片状电磁干扰抑制体。 

当使用这种电磁干扰抑制体时，要求膜片在数十MHz到数GHz的频带内具有高导磁率。要获得高导磁率，已知的是使用扁平状而非球状的软磁性粉末，且使该扁平状软磁性粉末沿着电磁干扰抑制膜片的面进行取向(专利文献2)。 

为了容易进行取向，作为基材材料，优选使用流动性高的材料。例如，在专利文献2中，记载有通过刮片法将扁平软磁性粉末和高分子粘合剂溶解到有机溶剂中制成的磁性涂料，涂布在剥离性支承体上干燥后形成膜片的技术。然而，采用该加工方法的话，干燥时磁性涂料中的溶剂会发泡，出现膜片中产生大量空孔的问题。大量空孔会大幅降低对电磁干扰的抑制效果。因此，需要尽可能地抑制产生空孔，并对软磁性粉末进行高密度填充。 

另一方面，在专利文献3中，记载了一种复合磁体的制造方法，是将扁平软磁性粉末和粘合剂混合、混练而成的混合物，通过指定的方法进行膜片成型而制成复合磁体的方法，该粘合剂中含有玻璃转化点在50℃以上的氯乙烯类树脂。但是在该方法中，为了提高制备的复合磁体的密度，需要增加加压工序，即在制膜、去除溶剂后用冲压机或辊式压延装置对该复合磁体进行加压。 

专利文献1：特开平7-212079号公报

专利文献2：特开2003-229694号公报 

专利文献3：特开2001-126910号公报 

在冲压工序或轧光工序等后工序(加压工序)中，通过冲压等向膜片施加剪断力，去除膜片内的空隙，再促使粘合剂在填充剂之间的狭小间隙中充分流动，从而有助于实现致密的填充，大幅地提高膜片的比重。该后工序在对膜片的材料常数(ε’、ε”、μ’、μ”)进行最优化设计时是重要的工序。但是采取冲压工序等时，具有大幅升高制造成本的缺点。 

所以，一直以来都期望能够仅通过涂装工序即可制成高性能的膜片状电波干扰抑制体。