[发明专利]用于等离子体处理腔的元件的石英表面的湿清洁方法

权利要求书

1.一种用于湿清洁元件的至少一个石英表面的方法，所述元件用于其中处理半导体基材的等离子体处理腔，该方法包括：

a)将该元件的至少一个石英表面与至少一种可有效地从石英表面脱脂和除去有机污染物的有机溶剂接触；

b)在a)之后，将石英表面与可有效地从石英表面除去有机和金属污染物的弱碱性溶液接触；

c)在b)之后，将石英表面与可有效地从石英表面除去金属污染物的第一酸溶液接触；

d)在c)之后，将石英表面与包含氢氟酸和硝酸的第二酸溶液接触以从石英表面除去金属污染物；和

e)视需要重复d)至少一次。

2.权利要求1的方法，其中a)包括：

将石英表面与异丙基醇通过擦拭或浸渍而接触；

随后漂洗石英表面；

随后将石英表面与丙酮通过擦拭或浸渍而接触；和

随后在去离子水中超声清洁该元件。

3.权利要求1的方法，其中碱性溶液包含相应体积比率为约1∶1∶2-8或1∶2-7∶8的氢氧化铵，过氧化氢和水。

4.权利要求1的方法，其中第一酸溶液包含氢氯酸。

5.权利要求1的方法，其中：

第二酸溶液包含约1wt％至约5wt％的氢氟酸和约5wt％至约20wt％的硝酸，或约1wt％的氢氟酸和约10wt％的硝酸；

d)包括将元件在第二酸溶液中浸渍约10分钟至约20分钟；和

e)包括重复d)两次使得元件在第二酸溶液中浸渍总共约30至约60分钟。

6.权利要求1的方法，进一步包括在e)之后：

将元件用超纯水漂洗；

随后将元件用超纯水超声清洁；

随后将元件用超纯水漂洗；

随后在升高的温度下干燥该元件；和

随后包装该元件。

7.权利要求1的方法，进一步包括在a)之前通过以下步骤预清洁该元件：

用高压去离子水喷洗该元件；和

干燥该元件。

8.权利要求1的方法，其中如此清洁的石英表面上的以下元素的量(单位：×10¹⁰个原子/cm²)是：Al≤300；Ca≤95；Cr≤50；Cu≤50；Fe≤65；Li≤50；Mg≤50；Ni≤50；K≤100；Na≤100；Ti≤60，Zn≤50，Co≤30和Mo≤30。

9.权利要求1的方法，其中所述元件选自介电窗，气体注射器，观察孔，等离子体约束环，聚焦环，边缘环，气体分配板和导流板。

10.一种元件，包含至少一个已通过根据权利要求1的方法湿清洁的石英表面。

11.一种用于湿清洁元件的至少一个石英表面的方法，所述元件用于其中处理半导体基材的等离子体处理腔，该方法包括：

a)将该元件的至少一个石英表面与异丙基醇并随后与丙酮接触以从石英表面脱脂和除去有机污染物；

b)在a)之后，将石英表面与包含氢氧化铵和过氧化氢的溶液接触以从石英表面除去有机和金属污染物；

c)在b)之后，将石英表面与包含氢氯酸的第一酸溶液接触以从石英表面除去金属污染物；

d)在c)之后，将石英表面与包含氢氟酸和硝酸的混合第二酸溶液接触以从石英表面除去金属污染物；和

e)视需要重复d)至少一次。

12.权利要求11的方法，其中：

第二酸溶液包含约1wt％至约5wt％的氢氟酸和约5wt％至约20wt％的硝酸，或约1wt％的氢氟酸和约10wt％的硝酸；

d)包括将该元件在第二酸溶液中浸渍约10分钟至约20分钟；和

e)包括重复d)两次，其中对于这三次浸渍，将该元件在第二酸溶液中浸渍总共约30至约60分钟。

13.权利要求11的方法，进一步包括在e)之后：

将元件用超纯水漂洗；

随后将元件用超纯水超声清洁；

随后将元件用超纯水漂洗；

随后在升高的温度下干燥该元件；和

随后包装该元件。