[其他]带动态控制的电荷耦合半导体器件

权利要求书

1、电荷耦合器件包含一半导体基片，在其主表面上限定至少一条电荷迁移沟道，并在同一主表面上备有各电极系统，在电极上可供给为电荷贮存的调节信号和为电荷迁移的时钟信号，此器件的特征是，半导体器件至少包含一个移位寄存器，能受单相或多相时钟所控制，并有若干级，还包含以电气导通方式分别连接到移位寄存器各级的电极。

2、一种根据权利要求1的电荷耦合器件，其特征在于：所述表面上限定了若干条电荷迁移沟道，所述电极形成所述电荷迁移沟道的共同电极系统，控制所述电荷迁移沟道内的电荷迁移和电荷存储。

3、根据权利要求1或2所述的电荷耦合器件，其特征是，本器件包含动态移位寄存器。

4、根据前述权利要求任一项所述的电荷耦合器件，其特征是，该移位寄存器包含若干倒相电路，用由时钟控制的开关晶体管将它们相互连接。

5、根据权利要求4所述的电荷耦合器件，其特征是，该倒相电路包含两个互补MOS晶体管。

6、根据权利要求4或5所述的电荷耦合器件，其特征是，电极系统中至少一个电极以电气导通方式与移位寄存器的两个连续级互相连接。

7、根据权利要求4或5所述的电荷耦合器件，其特征是，本器件包含至少两个分寄存器，布置在电极系统的两侧。

8、根据前述权利要求1至3任一项所述的电荷耦合器件，其特征是，为了供给调节信号和时钟信号，本器件包含至少两个带非倒相级的移位寄存器，电极系统的相继电极以电气导通方式交替连接到移位寄存器的相继各级。

9、根据权利要求1至5的任一项所述的电荷耦合器件，其特征是，为了供给调节信号和时钟信号，本器件包含两个带倒相级的移位寄存器，电极系统的相继电极组以电气导通方式交替连接到移位寄存器各级的相继组。

10、根据权利要求9所述的电荷耦合器件，其特征是，两个寄存器第一级的输入端相互导通连接。