[其他]绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法在审
| 申请号： | 101985000003942 | 申请日： | 1985-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN85103942B | 公开（公告）日： | 1988-03-16 |
| 发明（设计）人： | 林成鲁;邹世昌;沈宗雍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 多晶 激光 加热 再结晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种激光加热再结晶制备SOI材料的方法，它使用连续氩离子激光束扫描加热位于SiO2夹层中的多晶硅使之再结晶，其特征在于：在激光加热之前形成单晶硅-热氧化SiO2-多晶硅-化学气相淀积SiO2夹层结构，其中热氧化SiO2，多晶硅及化学气相淀积SiO2层的厚度分别为：0.1～1μm，0.5～0.8μm及0.5～1.5μm。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征是，所采用的氩离子激光器功率为6-10W，光斑直径40-80μm，样品置于x、y两维自动扫描的工作台上，x方向扫描速度2-10cm/秒，y方向每次步进使相邻的扫描线重迭50%，用一般加热方法使整个样品在再结晶过程中保持在250-550℃，激光辐照加热时局部多晶Si层的温度为1415-1600℃。
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