[发明专利]液晶用作放射线辐射场的显像方法无效
| 申请号： | 02103721.3 | 申请日： | 2002-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1374535A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李联琮;张英平;王锋 | 申请（专利权）人： | 北京一体通探测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01T5/00 | 分类号： | G01T5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101300 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 用作 放射线 辐射 显像 方法 | ||
【权利要求书】：
本发明用放射线束入射到物体上，从物体透射或散射的带有物体组成/结构信息的放射线辐射被特制的液晶盒显像，用可调直流电场来调节探测灵敏度，用摄像机记录所成的像。
1.所述特制的液晶盒其特征是：两个平板电极的材料和结构，前电极(辐射束首先进入的电极)为高平均原子序数Z1的物质成构成，后电极由低平均原子序数Z2的物质所构成。Z1、Z2相差越大越好。
2.权利要求1中所说高平均原子序数Z1的前电极，其特征是：导电重金属，其网状部分的厚度为1到几毫米，网孔的大小与像素的大小相适应，可由金属板上打孔制成，孔与孔之间的壁越薄越好。其平板部分厚度小于0.5毫米，也可由绝缘薄膜喷镀上一层该金属的薄层制成，该薄层与网状部分相接触。薄膜的厚度在能支承平整度的情况下越薄越好。
3.权利要求1中所述低平均原子序数Z2的后电极，其特征是：透明、电阻率小于1012Ω·cm，但大于等于所用液晶的电阻率。
4.所述可调直流电场，其特征是：功能——调节探测灵敏度，大小与6和8之间的距离有关，调节范围为几千到几万伏/厘米。
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